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ROHM Semiconductor MOSFET di potenza Pch QH8J

I MOSFET di potenza Pch QH8J di ROHM Semiconductor presentano una bassa resistenza in conduzione e sono alloggiati in un   package a stampo piccolo (TSMT8) ad alta potenza. ROHM offre un’ampia gamma di prodotti, da quelli per la segnalazione di piccole dimensioni ai prodotti ad alta tensione fino a 800 V. Possono essere utilizzati per varie applicazioni come alimentatori e circuiti di azionamento dei motori.

Caratteristiche

  • Bassa resistenza in conduzione
  • Package a montaggio superficiale ridotto (TSMT8)
  • Placcatura senza piombo; a norma RoHS
  • Privi di alogeni

Applicazioni

  • Commutazione

Allineamento

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza Pch QH8J

Applicazioni nel mercato

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza Pch QH8J

Resistenza in conduzione migliorata

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza Pch QH8J

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Risorse aggiuntive

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Codice prodotto Scheda dati Descrizione Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza
QH8JE5TCR QH8JE5TCR Scheda dati MOSFET 100V Dual Pch+Pch, TSMT8, Power MOSFET 100 V 2 A 270 mOhms
QH8JB5TCR QH8JB5TCR Scheda dati MOSFET -40V Dual Pch+Pch Small Signal MOSFET 40 V 5 A 41 mOhms
QH8JC5TCR QH8JC5TCR Scheda dati MOSFET -60V Dual Pch+Pch Small Signal MOSFET 60 V 3.5 A 91 mOhms
Pubblicato: 2021-01-26 | Aggiornato: 2024-02-05