ROHM Semiconductor MOSFET di potenza di grado automobilistico a canale N

I MOSFET di potenza di grado automobilistico a canale N di ROHM Semiconductor   con bassa resistenza in conduzione dissipano la potenza fino a 142 W. La gamma è offerta in package di piccole dimensioni ad alta potenza che riducono notevolmente l’area di montaggio.  Questi MOSFET sono qualificati AEC-Q101, conformi a RoHS e privi di alogeni. Applicazioni ideali per i MOSFET di potenza a canale N di ROHM per il settore automobilistico, i sistemi avanzati di assistenza alla guida (ADAS)  (advanced driver assistance systems), carrozzeria, illuminazione e infotainment.

Caratteristiche

  • Bassa resistenza in conduzione
  • Dissipa potenza fino a 142 W
  • Package di piccole dimensioni ad alta potenza per un’area di montaggio ridotta
  • Velocità di commutazione elevata
  • Conformi alle qualifiche AEC-Q101
  • Privi di alogeni
  • Conforme a RoHS

Applicazioni

  • ADAS
  • Infotainment
  • Carrozzeria
  • Illuminazione

RF9x120 / RQ3xxx0 / RD3x0xx

ROHM ha rilasciato MOSFET a canale N – RF9x120BKFRA/RQ3xxx0BxFRA/RD3x0xxBKHRB – con bassa resistenza in conduzione ideali per una varietà di applicazioni automobilistiche, tra cui motori per porte e posizionamento dei sedili, nonché fari a LED.

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza di grado automobilistico a canale N
ROHM Semiconductor MOSFET di potenza di grado automobilistico a canale N

Portafoglio prodotti

Grafico - ROHM Semiconductor MOSFET di potenza di grado automobilistico a canale N

Resistenza in conduzione migliorata

Grafico - ROHM Semiconductor MOSFET di potenza di grado automobilistico a canale N

Video

Pubblicato: 2021-01-26 | Aggiornato: 2025-02-26