ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductorprogetta e produce semiconduttori, circuiti integrati e altri componenti elettronici per i mercati wireless, informatico, automobilistico ed elettronica di consumo. La gamma di prodotti di ROHM Semiconductor comprende circuiti integrati per audio/video, collegamenti audio wireless, sensori di immagine, componenti discreti di protezione dal rumore, prodotti di memoria con tecnologia a doppia cella, componenti per la gestione dell'energia ad alta efficienza energetica e LED.
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ROHM Semiconductor MOSFET Super giunzione (SJ) da 600 VOpzioni di package compatte e a basso profilo che offrono un'eccellente dissipazione del calore.21/07/2026 -
ROHM Semiconductor Resistori shunt a chip GMR100Fornisce una potenza nominale di 5 W e 7 W in un package compatto di 6,4 mm x 3,2 mm (dimensioni 2512).07/07/2026 -
ROHM Semiconductor Moduli di potenza SiC ad alta densitàI package TRCDRIVE pack™, DOT-247 e HSDIP20 contribuiscono alla conversione di potenza ad alte prestazioni.10/04/2026 -
ROHM Semiconductor Pacchetto TRCDRIVE pack™ BST400D12P4A1x1 con moduli stampatiPresenta una tensione nominale 1.200 V nel package 41,6 mm × 52,5 mm e integra MOSFET SiC di quarta generazione.17/03/2026 -
ROHM Semiconductor Amplificatore operazionale TLR2728YFJ-Cingresso/uscita Rail-to-rail e doppio amplificatore operazionale CMOS ad alta velocità .11/12/2025 -
ROHM Semiconductor Amplificatore operazionale LMRx802-LBL'amplificatore operativo presenta un basso livello di rumore, un basso voltaggio di offset di ingresso e una bassa corrente di polarizzazione di ingresso.24/11/2025 -
ROHM Semiconductor Diodo PIN RN789FMPiccolo package stampato adatto per un circuito di controllo automatico del guadagno e un amplificatore/attenuatore d'antenna.18/11/2025 -
ROHM Semiconductor Convertitore A/D BD79124MUF-CConvertitore A/D a successiva approssimazione generale, a 12 bit e 8 canali.18/11/2025 -
ROHM Semiconductor MOSFET di potenza a canale P RH7G03BBJFRAQuesto MOSFET ha una tensione nominale VDSS di -40V e una corrente nominale ID (VDS= -10V) di ±22A.18/11/2025 -
ROHM Semiconductor MOSFET di potenza a canale P RJ1P10BATQuesto MOSFET ha una tensione VDSS nominale di -100V e una corrente ID nominale (VDS = 10V) di ±105A.18/11/2025 -
ROHM Semiconductor Fotoriflettore RPR-0730Sensore ottico analogico con VCSEL a infrarossi (IrVCSEL) e fototransistor.06/11/2025 -
ROHM Semiconductor Circuiti integrati con convertitore CC/CC di tipo PWM BM2P10xJ-ZÈ dotato di un MOSFET di commutazione 730 V integrato e funziona direttamente dalla rete elettrica CA ad alta tensione.03/11/2025 -
ROHM Semiconductor MOSFET al SiC N-Channel da 750 VI dispositivi aumentano la frequenza di commutazione, riducendo i condensatori, i reattori e gli altri componenti richiesti.17/10/2025 -
ROHM Semiconductor MOSFET di potenza automotive canale N RD3xMOSFET qualificati secondo AEC-Q101 caratterizzati da bassa tensione diretta, tempo di recupero rapido ed elevata capacità di sopportare picchi di corrente.16/10/2025 -
ROHM Semiconductor Circuiti integrati convertitore CC/CC di tipo PWM BM2P06xJ-ZProgettato per applicazioni di alimentazione CA-CC isolate compatte ed efficienti.26/09/2025 -
ROHM Semiconductor Scheda di valutazione BM3G107MUV-EVK-003Progettata per valutare e dimostrare le capacità del circuito integrato dello stadio di potenza GaN HEMT BM3G107MUV.27/08/2025 -
ROHM Semiconductor Scheda di valutazione BM3G115MUV-EVK-003Progettato per valutare e dimostrare le capacità dell'IC dello stadio di potenza GaN HEMT BM3G115MUV.27/08/2025 -
ROHM Semiconductor Diodi PIN di grado automobilistico RNxMFHDiodi di grado automobilistico con un package a stampo ultra-piccolo adatto per la commutazione ad alta frequenza.21/08/2025 -
ROHM Semiconductor Diodo a recupero ultrarapido RF202LB2SUn diodo a recupero superveloce di tipo epitessico planare in silicio con bassa VF e basso coefficiente di perdita di commutazione.21/08/2025 -
ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1.700 V MOSFET di potenza SiC a canale NMOSFET SiC con tensione drain-source (VDSS) di 1700 V e corrente drain continua (ID) nominale di 3,9 A.21/08/2025 -
ROHM Semiconductor MOSFET a canale P RQxATConfezionamento con montaggio superficiale caratterizzato da bassa resistenza ON e testato al 100% per Rg e UIS.21/08/2025 -
ROHM Semiconductor MOSFET di potenza RJ1x10BBGMOSFET di potenza a canale N con bassa resistenza di accensione e package ad alte prestazioni.21/08/2025 -
ROHM Semiconductor Diodo PIN RN242SMPresenta una bassa capacità elettrica e un package ultra-compatto adatto alla commutazione ad alta frequenza.20/08/2025 -
ROHM Semiconductor BR25G-5 EEPROM SPI BUSQuesti dispositivi sono EEPROM seriali da 16Kbit con interfaccia bus SPI e 4 milioni di cicli di scrittura.19/08/2025 -
ROHM Semiconductor Diodi Zener JMZV8.2B da 5 mAI dispositivi sono disponibili in un piccolo package di potenza stampato a iniezione adatto per applicazioni di regolazione di tensione.19/08/2025