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ROHM Semiconductor MOSFET di potenza Pch RS3

I MOSFET di potenza Pch RS3 di ROHM Semiconductor presentano bassa resistenza in conduzione e sono alloggiati in un piccolo package a montaggio superficiale. ROHM offre un'ampia gamma di tensioni da prodotti per segnalazione di piccole dimensioni a prodotti ad alta tensione fino a 800 V. Possono essere utilizzati per varie applicazioni come alimentatori e circuiti di azionamento dei motori.

Caratteristiche

  • Bassa resistenza in conduzione
  • Package con superficie di montaggio ridotta (SOP8)
  • Placcatura conduttori senza piombo; a norma RoHS

Applicazioni

  • Commutazione

Allineamento

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza Pch RS3

Applicazioni di mercato

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza Pch RS3

Resistenza in conduzione migliorata

ROHM Semiconductor MOSFET di potenza Pch RS3

Risorse aggiuntive

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ROHM Semiconductor MOSFET di potenza RQ6 Pch

Presentano bassa resistenza in conduzione e sono alloggiati in un  package stampato piccolo ad alta potenza (TSMT6).

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ROHM Semiconductor MOSFET di potenza Pch QH8J

Presentano una bassa resistenza in conduzione e sono alloggiati in un   package a stampo piccolo (TSMT8) ad alta potenza.

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ROHM Semiconductor MOSFET di potenza Pch SH8J

Presentano bassa resistenza in conduzione e sono alloggiati in un piccolo package a montaggio superficiale (SOP8).

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ROHM Semiconductor MOSFET di potenza Pch RF4

Presentano bassa resistenza in conduzione e sono alloggiati in un package  stampato piccolo ad alta potenza (HUML2020L8).

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Codice prodotto Scheda dati Descrizione Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza
RS3G160ATTB1 RS3G160ATTB1 Scheda dati MOSFET Transistor, MOSFET Pch, -40V(Vdss), -16.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive) 40 V 16 A 6.2 mOhms
RS3L110ATTB1 RS3L110ATTB1 Scheda dati MOSFET Transistor, MOSFET Pch, -60V(Vdss), -11.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive) 60 V 11 A 12.8 mOhms
Pubblicato: 2021-01-26 | Aggiornato: 2022-03-11