ROHM Semiconductor MOSFET di potenza Pch RQ7
I MOSFET di potenza Pch RQ7 di ROHM Semiconductor presentano una bassa resistenza in conduzione e sono alloggiati in un piccolo package a montaggio superficiale TSMT8. ROHM offre un’ampia gamma di prodotti, da quelli per la segnalazione di piccole dimensioni ai prodotti ad alta tensione da 800 V. Possono essere utilizzati per varie applicazioni come alimentatori e circuiti di azionamento dei motori.
Caratteristiche
- Bassa resistenza in conduzione
- Piccolo package a montaggio superficiale (TSMT8)
- Placcatura senza piombo; a norma RoHS
Applicazioni
- Commutazione
Allineamento
Applicazioni nel mercato
Resistenza in conduzione migliorata
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| Codice prodotto | Scheda dati | Vds - Tensione di rottura drain-source | Id - corrente di drain continua | Rds On - Drain-source sulla resistenza | Qg - Carica del gate |
|---|---|---|---|---|---|
| RQ7G080BGTCR |  |
40 V | 8 A | 16.5 mOhms | 10.6 nC |
| RQ7P035ATTCR | |
100 V | 3.5 A | 111 mOhms | 40 nC |
| RQ7G080ATTCR | |
40 V | 8 A | 18.2 mOhms | 37 nC |
| RQ7L050ATTCR | |
60 V | 5 A | 39 mOhms | 38 nC |