MOSFET di potenza Pch QH8J

I MOSFET di potenza Pch QH8J di ROHM Semiconductor presentano una bassa resistenza in conduzione e sono alloggiati in un   package a stampo piccolo (TSMT8) ad alta potenza. ROHM offre un’ampia gamma di prodotti, da quelli per la segnalazione di piccole dimensioni ai prodotti ad alta tensione fino a 800 V. Possono essere utilizzati per varie applicazioni come alimentatori e circuiti di azionamento dei motori.

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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Confezione
ROHM Semiconductor MOSFET 100V Dual Pch+Pch, TSMT8, Power MOSFET
Scheda dati
2.732A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT TSMT-8 P-Channel 2 Channel 100 V 2 A 270 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 19.7 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET -40V Dual Pch+Pch Small Signal MOSFET
Scheda dati
4.044A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT TSMT-8 P-Channel 2 Channel 40 V 5 A 41 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 17.2 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET -60V Dual Pch+Pch Small Signal MOSFET
Scheda dati
15.90011/05/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000

Si SMD/SMT TSMT-8 P-Channel 2 Channel 60 V 3.5 A 91 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 17.3 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement Reel, Cut Tape