Renesas Electronics FET GaN SuperGaN® 650 V TP65H070G4PS
Il FET al nitruro di gallio (GaN) SuperGaN® da 650 V TP65H070G4PS di Renesas Electronics è un dispositivo normalmente spento da 650 V e 70 mΩ, che offre qualità e prestazioni superiori. Il TP65H070G4PS combina tecnologie HEMT GaN ad alta tensione e MOSFET in silicio a bassa tensione in un package TO-220 a tre conduttori. Operativo all'interno di un intervallo di temperatura da -55 °C a +150 °C, questo componente presenta una dissipazione di potenza massima di 26 W, una portata di corrente di drain continua massima da 18,4 A a 29 A e una corrente di drain pulsata (massima) di 120 A. La piattaforma Gen IV SuperGaN di Renesas Electronics utilizza tecnologie di progettazione epi avanzate e brevettate per semplificare la producibilità migliorando al contempo l'efficienza rispetto al silicio, grazie a una carica di gate inferiore, capacità di uscita, perdita di crossover e carica di recupero inverso.
Caratteristiche
- Tecnologia Gen IV
- Tecnologia GaN qualificata JEDEC
- Produzione RDS(on)eff dinamica testata
- Progettazione robusta, definita da
- Ampio margine di sicurezza del gate
- Capacità di sovratensione transitoria
- Basso QRR
- Ridotta perdita di crossover
- Ottiene maggiore efficienza sia nei circuiti a commutazione dura che in quelli a commutazione morbida
- Facile da pilotare con i driver di porta comunemente utilizzati
- La disposizione dei pin del GSD migliora la progettazione ad alta velocità
- Package 3-lead TO-220
- Senza alogeni e conforme a RoHS
Applicazioni
- Comunicazione dati
- Ampio utilizzo industriale
- Inverter PV
- Servo motori
- Elaborazione
- Prodotti di consumo
Specifiche
- Tensione drain-to-source massima 650 V
- Tensione transitoria drain-to-source massima 800 V
- Tensione gate-to-source massima ±20 V
- Intervallo di tesione di soglia del gate da 3,2 V a 4,7 V
- Portata di resistenza drain-source allo stato on tipica da 72 mΩ a 148 mΩ
- Portata di corrente di dispersione drain-to-source tipica da 1,2 µA a 8 µA
- Corrente di dispersione gate-to-source ±100 nA
- Capacità elettrica tipica
- Ingresso 638 pF
- Uscita 72 pF
- Trasferimento inverso 2 pF
- Carica di gate totale tipica 9 nC
- Carica gate-source tipica 3,7 nC
- Carica gate-drain 2,4 nC
- Carica di uscita 80 nC
- Corrente inversa massima 18 A
- Tensione inversa tipica da 1,7 V a 2,4 V
- Dissipazione di potenza massima 96 W a +25 °C
- Correnti di drain massime continue
- 29 A a +25 °C
- 18,4 A a +100 °C
- Corrente di drain pulsata massima 120 A
- Ritardo di accensione tipico 43,4 ns
- Tempo di incremento tipico 6,2 ns
- Ritardo di spegnimento tipico 56 ns
- Tempo di riduzione tipico 7,2 ns
- Tempo di recupero inverso tipico 80 ns
- Intervallo di temperatura di funzionamento da -55 °C a +150 °C
- Massima temperatura di picco di saldatura +260 °C
- Resistenza termica
- 1 °C/W giunzione-contenitore
- 62 °C/W giunzione-ambiente
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Pubblicato: 2023-06-01
| Aggiornato: 2025-06-05