Renesas Electronics FET SuperGaN® TP65H070G4RS 650 V in TOLT

Il FET SuperGaN TP65H070G4RS 650 V ^® Renesas Electronics in TOLT presenta una resistenza di conduzione R_DS(on) di 72 mΩ tipico in un package TOLT a montaggio superficiale raffreddato sul lato superiore che soddisfa lo standard JEDEC MO-332. Il package TOLT offre flessibilità nella gestione termica, in particolare nei sistemi che non consentono l'uso di dispositivi convenzionali a montaggio superficiale con raffreddamento sul lato inferiore. Il TP65H070G4RS è un dispositivo normalmente disattivato che combina tecnologie MOSFET in silicio a basso voltaggio e tecnologie HEMT GaN ad alto voltaggio per offrire affidabilità e prestazioni superiori. La piattaforma Gen IV SuperGaN sfrutta tecnologie epitassiali (epi) avanzate e tecnologie di progettazione brevettate per semplificare la producibilità e migliorare l'efficienza rispetto al silicio. Ci riesce riducendo la carica di gate, la perdita di crossover, la capacità di uscita e la carica di recupero inverso. Il FET SuperGaN TOLT TP65H070G4RS da 650 V di Renesas Electronics è ideale per applicazioni di datacom, industriali, informatiche e altre applicazioni.