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TP65H070G4RS-TR

Name: Renesas Electronics TP65H070G4RS-TR
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H070G4RS-TR
Price: 6.85 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

227-TP65H070G4RS-TR

N. produttore:

TP65H070G4RS-TR

Produttore:

Renesas Electronics

Descrizione:

GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TOLT

Ciclo di vita:

Nuovo a Mouser

Scheda dati:

TP65H070G4RS-TR Scheda dati

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	6,85 €	6,85 €
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Nastrati completa (ordinare in multipli di 1300)
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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Renesas Electronics
Categoria prodotto:	GaN FETs
RoHS::
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	TOLT-16
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	650 V
Id - corrente di drain continua:	29 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	85 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4.8 V
Qg - Carica del gate:	9 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	96 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	SuperGaN
Marchio:	Renesas Electronics
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	7.2 ns
Sensibili all’umidità:	Yes
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Tipo di prodotto:	GaN FETs
Tempo di salita:	6.2 ns
Serie:	Gen IV SuperGaN
Quantità colli di fabbrica:	1300
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	GaN
Ritardo di spegnimento tipico:	56 ns
Tipico ritardo di accensione:	43.4 ns

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TP65H070G4RS-TR Scheda dati

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CNHTS:: 8541290000
ECCN:: EAR99

FET SuperGaN® TP65H070G4RS 650 V in TOLT

Il FET SuperGaN TP65H070G4RS 650 V ^®Renesas Electronics in TOLT presenta una resistenza di conduzione R_DS(on)di 72 mΩ tipico in un package TOLT a montaggio superficiale raffreddato sul lato superiore che soddisfa lo standard JEDEC MO-332. Il package TOLT offre flessibilità nella gestione termica, in particolare nei sistemi che non consentono l'uso di dispositivi convenzionali a montaggio superficiale con raffreddamento sul lato inferiore. Il TP65H070G4RS è un dispositivo normalmente disattivato che combina tecnologie MOSFET in silicio a basso voltaggio e tecnologie HEMT GaN ad alto voltaggio per offrire affidabilità e prestazioni superiori. La piattaforma Gen IV SuperGaN sfrutta tecnologie epitassiali (epi) avanzate e tecnologie di progettazione brevettate per semplificare la producibilità e migliorare l'efficienza rispetto al silicio. Ci riesce riducendo la carica di gate, la perdita di crossover, la capacità di uscita e la carica di recupero inverso. Il FET SuperGaN TOLT TP65H070G4RS da 650 V di Renesas Electronics è ideale per applicazioni di datacom, industriali, informatiche e altre applicazioni.

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN^® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.