Sembra che Javascript sia disabilitato nel tuo browser. Alcune funzioni su questa pagina non funzioneranno a meno che tu non acceda al sistema.

Torna ai risultati della ricerca

Hai visto un errore?

TP65H070G4RS-TR

Name: Renesas Electronics TP65H070G4RS-TR
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H070G4RS-TR
Price: 6.85 EUR
Availability: InStock

Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
Vedere le caratteristiche tecniche del prodotto

N. Mouser:

227-TP65H070G4RS-TR

N. produttore:

TP65H070G4RS-TR

Produttore:

Renesas Electronics

Descrizione:

GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TOLT

Scheda dati:

TP65H070G4RS-TR Scheda dati

Modello ECAD:

Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

Maggiori informazioni

Maggiori informazioni su Renesas Electronics TP65H070G4RS-TR

A magazzino: 1.670

A magazzino:: 1.670 Spedizione immediata

Si è verificato un errore imprevisto. Riprovare più tardi.
Tempo di consegna da parte della fabbrica:: 16 settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica per quantità superiori a quelle indicate.

Immetti la quantità:

Minimo: 1 Multipli: 1

Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	6,85 €	6,85 €
	4,66 €	46,60 €
	3,59 €	359,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 1300)
	3,06 €	3.978,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Renesas Electronics
Categoria prodotto:	GaN FETs
RoHS::
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	TOLT-16
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	650 V
Id - corrente di drain continua:	29 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	85 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4.8 V
Qg - Carica del gate:	9 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	96 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	SuperGaN
Marchio:	Renesas Electronics
Configurazione:	Single
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	CN
Tempo di caduta:	7.2 ns
Sensibili all’umidità:	Yes
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Tipo di prodotto:	GaN FETs
Tempo di salita:	6.2 ns
Serie:	Gen IV SuperGaN
Quantità colli di fabbrica:	1300
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	GaN
Ritardo di spegnimento tipico:	56 ns
Tipico ritardo di accensione:	43.4 ns

Prodotti trovati:

Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo

Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.

Attributi selezionati: 0

Filtra documento:

Scheda dati

TP65H070G4RS-TR Scheda dati

Questa funzionalità richiede l'attivazione di JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN^® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.

FET SuperGaN® TP65H070G4RS 650 V in TOLT

Il FET SuperGaN TP65H070G4RS 650 V ^®Renesas Electronics in TOLT presenta una resistenza di conduzione R_DS(on)di 72 mΩ tipico in un package TOLT a montaggio superficiale raffreddato sul lato superiore che soddisfa lo standard JEDEC MO-332. Il package TOLT offre flessibilità nella gestione termica, in particolare nei sistemi che non consentono l'uso di dispositivi convenzionali a montaggio superficiale con raffreddamento sul lato inferiore. Il TP65H070G4RS è un dispositivo normalmente disattivato che combina tecnologie MOSFET in silicio a basso voltaggio e tecnologie HEMT GaN ad alto voltaggio per offrire affidabilità e prestazioni superiori. La piattaforma Gen IV SuperGaN sfrutta tecnologie epitassiali (epi) avanzate e tecnologie di progettazione brevettate per semplificare la producibilità e migliorare l'efficienza rispetto al silicio. Ci riesce riducendo la carica di gate, la perdita di crossover, la capacità di uscita e la carica di recupero inverso. Il FET SuperGaN TOLT TP65H070G4RS da 650 V di Renesas Electronics è ideale per applicazioni di datacom, industriali, informatiche e altre applicazioni.