Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.

Risultati: 48
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Nome commerciale
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TOLL
Scheda dati
345A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 2.000

SMD/SMT TOLL-10 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms 4.8 V 24.5 nC - 55C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TOLT
Scheda dati
1.056A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 1.300

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 24.5 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L
Scheda dati
1.303A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 24.5 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 100mohm GaN FET in TO220
Scheda dati
720A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

Through Hole TO-220-3 N-Channel 650 V 18.9 A 110 mOhms - 20 V, + 20 V 3.65 V 14.4 nC - 55 C + 150 C 65.8 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L
Scheda dati
560A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 60 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 16 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Scheda dati
2.662A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 3.000

SMD/SMT PQFN-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Scheda dati
2.446A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 3.000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.6 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TO220
Scheda dati
958A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.7 V 9 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TOLT
Scheda dati
1.669A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1.300

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 9 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
Scheda dati
3.769A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 4.000

SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 650 V 3.6 A 560 mOhms - 10 V, + 10 V 2.8 V 5 nC - 55 C + 150 C 13.2 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
Scheda dati
1.475A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 4.000

SMD/SMT PQFN-3 N-Channel 1 Channel 650 V 3.6 A 560 mOhms - 18 V, + 18 V 2.8 V 9 nC - 55 C + 150 C 13.2 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 110mohm GaN BDS in TOLT
Scheda dati
1.25418/09/2026 previsto
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 1.500

SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 150mohm GaN FET in TO220
Scheda dati
1.93807/07/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13 A 180 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 8 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 135mohm GaN FET in 5x6 PQFN IP
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 14 settimane
Min: 5.000
Mult.: 5.000
: 5.000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 15.8 A 169 mOhms 20 V 2.5 V 5.9 nC - 55 C + 150 C 69.4 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 135mohm GaN FET in 8x8 PQFN IP
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 14 settimane
Min: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 14.6 A 169 mOhms 20 V 2.5 V 5.9 nC - 55 C + 150 C 59.5 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 35mohm GaN FET in TO247-4L
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 26 settimane
Min: 1.200
Mult.: 1.200

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 46.5 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 3.6 V 42.7 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TOLL
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 16 settimane
Min: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 60 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 16 nC - 55 C + 150 C 119 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 16 settimane
Min: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

PQFN-8 650 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 16 settimane
Min: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

PQFN-8 650 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TOLL
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 16 settimane
Min: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 60 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 650V, 100mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 14 settimane
Min: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 18.9 A 110 mOhms - 20 V, + 20 V 4.1 V 14.4 nC - 55 C + 150 C Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 130mohm GaN FET in 8x8 PQFN PP
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 14 settimane
Min: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

SMD/SMT PQFN-3 N-Channel 1 Channel 700 V 16 A 163 mOhms 20 V 4.8 V 10.7 nC - 55 C + 150 C 69.4 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 130mohm GaN FET in TO-220
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 14 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 16 A 163 mOhms 20 V 4.8 V 10.7 nC - 55 C + 150 C 69.4 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 14 settimane
Min: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

700 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FETs 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 14 settimane
Min: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

700 V SuperGaN