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TP65H050G4YS

Name: Renesas Electronics TP65H050G4YS
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H050G4YS
Price: 8.4 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

227-TP65H050G4YS

N. produttore:

TP65H050G4YS

Produttore:

Renesas Electronics

Descrizione:

GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L

Scheda dati:

TP65H050G4YS Scheda dati

Modello ECAD:

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	5,78 €	57,80 €
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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Renesas Electronics
Categoria prodotto:	GaN FETs
RoHS::
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-4
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	650 V
Id - corrente di drain continua:	35 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	60 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4.8 V
Qg - Carica del gate:	16 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	132 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	SuperGaN
Marchio:	Renesas Electronics
Configurazione:	Cascode
Tempo di caduta:	8 ns
Confezione:	Tube
Tipo di prodotto:	GaN FETs
Tempo di salita:	5 ns
Serie:	Gen IV SuperGaN
Quantità colli di fabbrica:	1200
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	GaN
Tipo di transistor:	GaN HEMT
Ritardo di spegnimento tipico:	40 ns
Tipico ritardo di accensione:	40 ns

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

FET SuperGaN® da 650 V TP65H050G4YS

Il FET SuperGaN^® da 650 V TP65H050G4YS di Renesas Electronics è un dispositivo da 50 mΩ, al nitruro di gallio (GaN), normalmente spento, disponibile nel package TO-247 a 4 pin. Questo FET SuperGaN GenIV utilizza la piattaforma GenIV, che supporta tecnologie di progettazione epi avanzate e brevettate per semplificare la producibilità. Il FET TP65H050G4YS da 650 V combina un HEMT GaN all'avanguardia ad alto voltaggio con un MOSFET in silicio a basso voltaggio per un'affidabilità e prestazioni superiori. Questo FET SuperGaN migliora l'efficienza rispetto al silicio grazie a una carica di gate inferiore, capacità di uscita, perdite di crossover e carica direcupero inverso. Le applicazioni tipiche includono datacom, ampia industria, inverter fotovoltaico e motore servo.

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN^® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.