Sembra che Javascript sia disabilitato nel tuo browser. Alcune funzioni su questa pagina non funzioneranno a meno che tu non acceda al sistema.

Torna ai risultati della ricerca

Hai visto un errore?

TP65H070G4PS

Name: Renesas Electronics TP65H070G4PS
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H070G4PS
Price: 6.46 EUR
Availability: InStock

Le immagini vengono fornite a solo titolo di riferimento
Vedere le caratteristiche tecniche del prodotto

N. Mouser:

227-TP65H070G4PS

N. produttore:

TP65H070G4PS

Produttore:

Renesas Electronics

Descrizione:

GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TO220

Scheda dati:

TP65H070G4PS Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

Maggiori informazioni

Maggiori informazioni su Renesas Electronics TP65H070G4PS

A magazzino: 1.143

A magazzino:: 1.143 Spedizione immediata

Si è verificato un errore imprevisto. Riprovare più tardi.
Tempo di consegna da parte della fabbrica:: 14 settimane Tempo di produzione stimato in fabbrica per quantità superiori a quelle indicate.

Immetti la quantità:

Minimo: 1 Multipli: 1

Prezzo Unitario:

-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	6,46 €	6,46 €
	3,48 €	34,80 €
	3,20 €	320,00 €
	2,82 €	1.410,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 1000)
	2,82 €	2.820,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Renesas Electronics
Categoria prodotto:	GaN FETs
RoHS::
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-220-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	650 V
Id - corrente di drain continua:	29 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	85 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4.7 V
Qg - Carica del gate:	9 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	96 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	SuperGaN
Marchio:	Renesas Electronics
Paese di assemblaggio:	PH
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	PH
Tempo di caduta:	7.2 ns
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Tipo di prodotto:	GaN FETs
Tempo di salita:	6.2 ns
Serie:	Gen IV SuperGaN
Quantità colli di fabbrica:	1000
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	GaN
Ritardo di spegnimento tipico:	56 ns
Tipico ritardo di accensione:	43.4 ns

Prodotti trovati:

Per visualizzare prodotti simili, spunta almeno una casella di controllo

Seleziona almeno una casella di spunta qui sopra per visualizzare prodotti simili in questa categoria.

Attributi selezionati: 0

Filtra documento:

Scheda dati

TP65H070G4PS Scheda dati (PDF)

Questa funzionalità richiede l'attivazione di JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

FET GaN SuperGaN® 650 V TP65H070G4PS

Il FET al nitruro di gallio (GaN) SuperGaN^® da 650 V TP65H070G4PS di Renesas Electronics è un dispositivo normalmente spento da 650 V e 70 mΩ, che offre qualità e prestazioni superiori. Il TP65H070G4PS combina tecnologie HEMT GaN ad alta tensione e MOSFET in silicio a bassa tensione in un package TO-220 a tre conduttori. Operativo all'interno di un intervallo di temperatura da -55 °C a +150 °C, questo componente presenta una dissipazione di potenza massima di 26 W, una portata di corrente di drain continua massima da 18,4 A a 29 A e una corrente di drain pulsata (massima) di 120 A. La piattaforma Gen IV SuperGaN di Renesas Electronics utilizza tecnologie di progettazione epi avanzate e brevettate per semplificare la producibilità migliorando al contempo l'efficienza rispetto al silicio, grazie a una carica di gate inferiore, capacità di uscita, perdita di crossover e carica di recupero inverso.

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN^® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.