Toshiba MOSFET di potenza U-MOSVI per il settore automobilistico
I MOSFET di potenza U-MOSVI per il settore automobilistico Toshiba sono MOSFET di potenza a canale P da -40 V per applicazioni per il settore automobilistico . Presentano una tensione di gate drive di -4,5 V rispetto a -6 V per i prodotti convenzionali nel package DPAK+. Ciò consente di utilizzare i sistemi anche quando la tensione della batteria scende. I MOSFET presentano una bassa resistenza in conduzione.
Caratteristiche
- Bassa resistenza in conduzione:
- RDS(ON) = 1,45 mΩ (max.) a VGS = -10 V (TJ200F04M3L)
- RDS(ON) = 2,4 mΩ (max.) a VGS = -10 V (XPH3R114MC)
- RDS(ON) = 3,6 mΩ (tip.) a VGS = -10 V (XPH4R714MC)
- RDS(ON) = 4,0 mΩ (tip.) a VGS = -10 V (TJ80S04M3L)
- RDS(ON) = 4,3 mΩ (max .) a VGS = -10 V (TJ90S04M3L)
- RDS(ON) = 4,8 mΩ (tip.) a VGS = -10 V (TJ60S04M3L)
- RDS(ON) = 7,0 mΩ (tip.) a VGS = -10 V (TJ40S04M3L)
- RDS(ON) = 7,4 mΩ (tip.) a VGS = -10 V (XPN9R614MC)
- RDS(ON) = 8,6 mΩ (tip.) a VGS = -10 V (TJ60S06M3L)
- RDS(ON) = 10,3 mΩ (tip.) a VGS = -10 V (TJ40S04M3L)
- RDS(ON) = 16,8 mΩ (tip.) a VGS = -10 V (TJ30S06M3L)
- RDS(ON) = 17 mΩ (max.) a VGS = -10 V (TJ20S04M3L)
- RDS(ON) = 33,8 mΩ (tip.) a VGS = -10 V (TJ10S04M3L)
- RDS(ON) = 38,5 mΩ (max.) a VGS = -10 V (TJ15S06M3L)
- RDS(ON) = 80 mΩ (tip.) a VGS = -10 V (TJ8S06M3L)
- Bassa tensione di gate drive (-4,5 V)
- Intervallo di tensione di soglia del gate stretto: Vth= da -1,0 a -2,0 V (intervallo stretto: 1 V)
- Bassa resistenza termica: Rth(ch-c)=0,83 °C/W (max.)
- Temperatura nominale del canale: Tch=175 °C
- Basso rumore di commutazione
Applicazioni
- Interruttori di carico (sostituzione dei relè meccanici)
- Unità di azionamento motore
Esempio di circuito
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| Codice prodotto | Scheda dati | Descrizione |
|---|---|---|
| TJ200F04M3L,LXHQ |  |
MOSFET 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101 |
| TJ8S06M3L,LXHQ | |
MOSFET 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101 |
| TJ60S04M3L,LXHQ | |
MOSFET 90W 1MHz Automotive; AEC-Q101 |
| TJ10S04M3L,LXHQ | |
MOSFET 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101 |
| TJ80S04M3L,LXHQ | |
MOSFET 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101 |
| TJ40S04M3L,LXHQ | |
MOSFET 68W 1MHz Automotive; AEC-Q101 |
| TJ15S06M3L,LXHQ | |
MOSFET 41W 1MHz Automotive; AEC-Q101 |
| TJ30S06M3L,LXHQ | |
MOSFET 68W 1MHz Automotive; AEC-Q101 |
| SSM6J808R,LXHF | |
MOSFET AUTO AEC-Q SS MOS P-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:-40V IC:-7A PD:1.5W TSOP6F |
| TJ20S04M3L,LXHQ | |
MOSFET 41W 1MHz Automotive; AEC-Q101 |