MOSFET di potenza U-MOSVI per il settore automobilistico

I MOSFET di potenza U-MOSVI per il settore automobilistico Toshiba  sono MOSFET di potenza a canale P da -40 V per applicazioni per il settore automobilistico . Presentano una tensione di gate drive di -4,5 V rispetto a -6 V per i  prodotti convenzionali nel package DPAK+. Ciò consente di utilizzare i sistemi anche quando la tensione della batteria scende. I MOSFET presentano una bassa resistenza in conduzione.

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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Qualifica
Confezione
Toshiba MOSFET 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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Si SMD/SMT TO-220SM-3 P-Channel 1 Channel 40 V 200 A 1.8 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 460 nC + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 8 A 104 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 19 nC + 175 C 27 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET 90W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 60 A 6.3 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 125 nC + 175 C 90 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 10 A 44 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 19 nC + 175 C 27 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 80 A 5.2 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 158 nC + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 68W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 40 A 9.1 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 83 nC + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 41W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 15 A 50 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 36 nC + 175 C 41 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET 68W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 30 A 21.8 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 80 nC + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET AUTO AEC-Q SS MOS P-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:-40V IC:-7A PD:1.5W TSOP6F
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Si SMD/SMT TSOP6F P-Channel 1 Channel 40 V 7 A 48 mOhms - 20 V, 10 V 2 V 24.2 nC + 150 C 1.5 W AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET 41W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 20 A 22.2 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 37 nC + 175 C 41 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 60 A 11.2 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 156 nC + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 90 A 4.3 mOhms - 20 V, 10 V 2 V 172 nC + 175 C 180 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET AUTO AEC-Q SS MOS P-ch Low Voltage Gate Drive VDSS:-20V Ic:-0.8A SOT-723
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Si SMD/SMT VESM-3 P-Channel 1 Channel 20 V 800 mA 480 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 1.6 nC + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET 90W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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2.00015/06/2026 previsto
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 50 A 13.8 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 124 nC + 175 C 90 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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5.00013/02/2026 previsto
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Si SMD/SMT SOP-Advance-8 P-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3.1 mOhms - 20 V, 10 V 2.1 V 230 nC + 175 C 170 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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2.781A magazzino
5.00015/05/2026 previsto
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Si SMD/SMT TSON-Advance-8 P-Channel 1 Channel 40 V 40 A 9.6 mOhms - 20 V, 10 V 2.1 V 64 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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14.68820/02/2026 previsto
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Si SMD/SMT SOP-Advance-8 P-Channel 1 Channel 40 V 60 A 4.7 mOhms - 20 V, 10 V 2.1 V 160 nC - 55 C + 175 C 132 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET P-ch MOSFET, -30 V, -6.0 A, 0.042Ohma.10V, DFN2020B(WF)Automotive
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8.940In ordine
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Si SMD/SMT DFN2020B-6 P-Channel 1 Channel 30 V 24 A 144 mOhms - 12 V, 6 V 1.2 V 8.2 nC + 150 C 3.3 W Enhancement Reel, Cut Tape