Torna a Toshiba

Toshiba MOSFET di potenza U-MOSVIII-H per il settore automobilistico

I MOSFET di potenza U-MOSVIII-H per il settore automobilistico di Toshiba sono MOSFET di potenza a canale N da 100 V ideali per le applicazioni automobilistiche. Sono caratterizzati da una bassa resistenza di accensione grazie a una tecnologia proprietaria che utilizza un connettore in Cu. Hanno un intervallo di tensione di soglia del gate ridotto da 2,5 V a 3,5 V, il che riduce la tolleranza del tempo di commutazione.

Caratteristiche

  • bassa resistenza in conduzione leader del settore:
    • RDS(ON)= 3,0 mΩ (tip.) a VGS= 10 V (XPN3R804NC);
    • RDS(ON)= 6,11 mΩ (max.) a VGS= 10 V (TK60S10N1L/TK60F10N1L);
    • RDS(ON)= 6,31 mΩ (max.) a VGS= 10 V (TK60R10N1L);
  • intervallo di tensione di soglia del gate stretto:
    • Vth= da 1,5 V a 2,5 V (intervallo stretto: 1 V)(XPN3R804NC);
    • Vth= da 2,5 V a 3,5 V (intervallo stretto: 1 V)(TK60S10N1L/TK60F10N1L/TK60R10N1L);
  • bassa resistenza termica
    :
    • Rth(ch-c) = 0,83 °C/W (max)(TK60S10N1L);
    • Rth(ch-c) = 0,73 °C/W (max)(TK60F10N1L/TK60R10N1L);
  • Temperatura nominale del canale: Tch= 175 °C;
  • basso rumore di commutazione.

Applicazioni

  • convertitori CC-CC;
  • unità di azionamento motore;
  • alimentatori.

Esempio di circuito:

Toshiba MOSFET di potenza U-MOSVIII-H per il settore automobilistico

Prodotti correlati:

Toshiba MOSFET di potenza U-MOSIX-H per il settore automobilistico

MOSFET di potenza a canale N da 40 V ideali per applicazioni nel settore automobilistico.

Learn MoreInformazioni su Toshiba MOSFET di potenza U-MOSIX-H per il settore automobilistico View ProductsCorrelato a Toshiba MOSFET di potenza U-MOSIX-H per il settore automobilistico

Toshiba MOSFET di potenza U-MOSVI per il settore automobilistico

MOSFET di potenza a canale P da -40 V per applicazioni per il settore  automobilistico.

Learn MoreInformazioni su Toshiba MOSFET di potenza U-MOSVI per il settore automobilistico View ProductsCorrelato a Toshiba MOSFET di potenza U-MOSVI per il settore automobilistico

Toshiba MOSFET U-MOSX-H per il settore automobilistico

Qualificati AEC-Q101 con bassa resistenza in conduzione sorgente di drenaggio.

Learn MoreInformazioni su Toshiba MOSFET U-MOSX-H per il settore automobilistico View ProductsCorrelato a Toshiba MOSFET U-MOSX-H per il settore automobilistico

Toshiba MOSFET U-MOSVIII-H per il settore automobilistico XPN12006NC

MOSFET di potenza N-ch in silicio qualificati AEC-Q101 in un package TSON compatto e sottile.

Learn MoreInformazioni su Toshiba MOSFET U-MOSVIII-H per il settore automobilistico XPN12006NC View ProductsCorrelato a Toshiba MOSFET U-MOSVIII-H per il settore automobilistico XPN12006NC

Toshiba MOSFET a canale N in silicio XPHx06NC per il settore automobilistico

MOSFET a canale N singolo da 60 V disponibili in package piccoli e sottili.

Learn MoreInformazioni su Toshiba MOSFET a canale N in silicio XPHx06NC per il settore automobilistico View ProductsCorrelato a Toshiba MOSFET a canale N in silicio XPHx06NC per il settore automobilistico
View Results ( 28 ) Page
Codice prodotto Scheda dati Package/involucro Vds - Tensione di rottura drain-source Rds On - Drain-source sulla resistenza Qg - Carica del gate Pd - Dissipazione di potenza
XSM6K519NW,LXHF XSM6K519NW,LXHF Scheda dati DFN-6 40 V 17.8 mOhms 6.5 nC 4.3 W
XSM6K361NW,LXHF XSM6K361NW,LXHF Scheda dati DFN-6 100 V 69 mOhms 3.2 nC 4.3 W
XSM6K336NW,LXHF XSM6K336NW,LXHF Scheda dati DFN-6 30 V 95 mOhms 1.7 nC 3.3 W
TK160F10N1L,LXGQ TK160F10N1L,LXGQ Scheda dati TO-220SM-3 100 V 2.4 mOhms 122 nC 375 W
XPN12006NC,L1XHQ XPN12006NC,L1XHQ Scheda dati TSON-8 40 V 23.7 mOhms 23 nC 65 W
TK40S06N1L,LXHQ TK40S06N1L,LXHQ Scheda dati DPAK-3 (TO-252-3) 60 V 10.5 mOhms 26 nC 88.2 W
TPHR9003NL1,LQ TPHR9003NL1,LQ Scheda dati SOP-8 30 V 770 uOhms 74 nC 170 W
SSM6K809R,LXHF SSM6K809R,LXHF Scheda dati TSOP6F 60 V 36 mOhms 9.3 nC 1.5 W
XPH4R10ANB,L1XHQ XPH4R10ANB,L1XHQ Scheda dati SOP-Advance-8 100 V 4.1 mOhms 75 nC 170 W
XPH6R30ANB,L1XHQ XPH6R30ANB,L1XHQ Scheda dati SOP-Advance-8 100 V 6.3 mOhms 52 nC 132 W
Pubblicato: 2020-04-29 | Aggiornato: 2026-02-03