MOSFET di potenza U-MOSIX-H per il settore automobilistico

I MOSFET di potenza U-MOSIX-H per il settore automobilistico di  Toshiba sono MOSFET di potenza a canale N da 40 V ideali per applicazioni nel settore automobilistico. Questi dispositivi sono alloggiati in un piccolo package SOP Advance (WF) a bassa resistenza. Presentano  bassa resistenza in conduzione, che può ridurre la perdita di conduzione. La serie U-MOSIX-H riduce anche il rumore di commutazione rispetto alla serie precedente di Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation’(U-MOSIV).

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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Qualifica
Confezione
Toshiba MOSFET 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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26.128A magazzino
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.35 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 103 nC + 175 C 180 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET PD=375W F=1MHZ AEC-Q101
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757A magazzino
MouseReel disponibile
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Si SMD/SMT TO-220SM-3 N-Channel 1 Channel 40 V 250 A 740 uOhms - 20 V, 20 V 3 V 227 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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7.881A magazzino
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Si SMD/SMT SOP-Advance-8 N-Channel 1 Channel 40 V 150 A 790 uOhms - 20 V, 20 V 3 V 85 nC + 175 C 170 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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17.266A magazzino
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Si SMD/SMT DSOP-Advance-8 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.14 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 55 nC - 55 C + 175 C 132 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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1.831A magazzino
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Si SMD/SMT TO-220SM-3 N-Channel 1 Channel 40 V 160 A 1.35 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 103 nC + 175 C 205 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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4.727A magazzino
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Si SMD/SMT SOP-Advance-8 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.14 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 55 nC + 175 C 132 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET S-TOGL N-CH 40V 160A
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2.440A magazzino
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Si Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=0.65mohm(max)
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23.074A magazzino
MouseReel disponibile
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Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 420 A 410 uOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 110 nC + 175 C 210 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=0.92mohm(max)
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30.034A magazzino
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Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 320 A 610 uOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 81 nC + 175 C 170 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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3.581A magazzino
MouseReel disponibile
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Si SMD/SMT DSOP-Advance-8 N-Channel 1 Channel 40 V 150 A 790 uOhms - 20 V, 20 V 3 V 85 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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989A magazzino
14.000In ordine
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 160 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 103 nC + 175 C 205 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=1.24mohm(max)
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13.044In ordine
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Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 270 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 74 nC + 175 C 170 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET UMOS9 SOP-ADV(N) RDSon=1.34mohm(max)
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4.90415/06/2026 previsto
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Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 60 V 280 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 91 nC + 175 C 210 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel