MOSFET di potenza U-MOSVII-H automobilistici

I MOSFET di potenza U-MOSVII-H automobilistici di Toshiba sono MOSFET a canale N in silicio qualificati AEC-Q101. I MOSFET di potenza U-MOSVII-H automobilistici di Toshiba offrono bassa resistenza in conduzione drain-source e sono ideali per l'uso in applicazioni di commutazione ad alta velocità, nonché convertitori CC-CC automobilistici e interruttori di gestione dell'alimentazione.

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Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Qualifica
Confezione

Toshiba MOSFET SMOS Low RON Dual Nc h Id:0.8A, Vdss: 20
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Si SMD/SMT UF6-6 N-Channel 1 Channel 20 V 800 mA 456 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 2 nC + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET SMOS Low RON Nch Id: 4A Vdss: 30V Pd:1W
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Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 30 V 4 A 56 mOhms - 8 V, 12 V 1 V 2.2 nC + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET SMOS Low RON Nch Vds s:20V ID:0.8A SOT-2
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2.212A magazzino
3.00016/02/2026 previsto
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Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 20 V 800 mA 57 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 2 nC + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET SMOS Low RON Nch Io: 0.4A Vdss: 60V Vgss
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5.951A magazzino
3.00017/02/2026 previsto
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Si SMD/SMT USM-3 N-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 1.75 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V 390 pC + 150 C 700 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET SMOS 2 in 1 Dual Nch High ESD protected
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3.00020/02/2026 previsto
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Si SMD/SMT US6-6 N-Channel 1 Channel 60 V 300 mA 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V 390 pC + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET SMOS Nch I: 0.4A, V: 60V, P: 270mW S-Min
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19.258A magazzino
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Si SMD/SMT S-Mini-3 N-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 1.75 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V + 150 C 900 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET AUTO AEC-Q SS MOS N-ch + P-ch Low Voltage Gate Drive VDSS:30V IC:4A PD:1.5W TSOP6F
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5.99815/06/2026 previsto
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Si SMD/SMT TSOP6F N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 4 A 39.1 mOhms, 45 mOhms - 8 V, 12 V 1 V 6.7 nC + 150 C 1.4 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET AUTO AEC-Q Low Rdson SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:60V Ic:0.3A SOT-416
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Tempo di consegna, se non a magazzino 11 settimane
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Si SMD/SMT SSM-3 N-Channel 1 Channel 60 V 300 mA 1.65 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V 390 pC + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel