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onsemi MOSFET in carburo di silicio (SiC) NVHL015N065SC1

Il MOSFET al carburo di silicio (SiC) NVHL015N065SC1 di onsemi  impiega una nuova tecnologia che offre prestazioni di commutazione superiori e alta affidabilità. Questo MOSFET SiC a canale N garantisce alta efficienza, frequenza di funzionamento più rapida, maggiore densità di potenza, EMI ridotte e dimensioni di sistema ridotte. Il MOSFET NVHL015N065SC1 offre bassa resistenza in conduzione e un chip di dimensioni compatte, che garantiscono bassa capacità e carica del gate. Questo MOSFET EliteSiC è testato 100% UIL e omologato AEC−Q101. Il MOSFET NVHL015N065SC1 presenta una tensione drain−to−source 650 V e una resistenza 12 mohm. Le applicazioni tipiche includono inverter di trazione automobilistici, convertitori CC/CC per EV/HEV e caricabatterie di bordo.

Caratteristiche

  • RDS(on)=12 mΩ @VGS=18V
  • RDS(on)=15 mΩ @VGS=15V
  • Tensione drain-to-source: 650 V
  • Carica del gate ultrabassa (QG (tot)= 283 nC)
  • Commutazione ad alta velocità con bassa capacità (Coss= 430 pF)
  • Testati per valanga e UIL 100%
  • Qualificato AEC-Q101 e con capacità PPAP
  • Senza alogenuri
  • Conforme a RoHS

Applicazioni

  • Caricatore integrato per il settore automobilistico
  • Convertitore CC-CC per il settore automobilistico per EV/HEV
  • Inverter di trazione per il settore automobilistico

Schema delle dimensioni

Disegno meccanico - onsemi MOSFET in carburo di silicio (SiC) NVHL015N065SC1

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Maggiori informazioni su EliteSiC

onsemi EliteSiC

Risponde alle esigenze di applicazioni esigenti come inverter solari e caricabatterie per veicoli elettrici.

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Pubblicato: 2024-02-14 | Aggiornato: 2024-09-09