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NVHL015N065SC1

Name: onsemi NVHL015N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVHL015N065SC1
Price: 31.27 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-NVHL015N065SC1

N. produttore:

NVHL015N065SC1

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET SiC SIC MOS TO247-3L 650V

Scheda dati:

NVHL015N065SC1 Scheda dati

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	31,27 €	31,27 €
	23,62 €	236,20 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET SiC
RoHS::
REACH - SVHC:
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	650 V
Id - corrente di drain continua:	163 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	12 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4.3 V
Qg - Carica del gate:	283 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	643 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	EliteSiC
Marchio:	onsemi
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	11 ns
Transconduttanza diretta - Min:	44 S
Confezione:	Tube
Tipo di prodotto:	SiC MOSFETS
Tempo di salita:	77 ns
Serie:	NVHL015N065SC1
Quantità colli di fabbrica:	30
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	SiC
Ritardo di spegnimento tipico:	47 ns
Tipico ritardo di accensione:	25 ns

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Scheda dati

NVHL015N065SC1 Scheda dati

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET EliteSiC M2

I MOSFET EliteSiC M2 di onsemi presentano opzioni di tensione di 650 V, 750 V e 1200 V. I MOSFET M2 di onsemi sono disponibili in vari package, tra cui D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD e TO-247-4LD. I MOSFET offrono flessibilità di progettazione e implementazione. Inoltre, i MOSFET EliteSiC M2 presentano una tensione gate-source massima di +22 V/-8 V, basso R_DS(on) e un elevato tempo di resistenza ai cortocircuiti (SCWT).

MOSFET in carburo di silicio (SiC) NVHL015N065SC1

Il MOSFET al carburo di silicio (SiC) NVHL015N065SC1 di onsemi impiega una nuova tecnologia che offre prestazioni di commutazione superiori e alta affidabilità. Questo MOSFET SiC a canale N garantisce alta efficienza, frequenza di funzionamento più rapida, maggiore densità di potenza, EMI ridotte e dimensioni di sistema ridotte. Il MOSFET NVHL015N065SC1 offre bassa resistenza in conduzione e un chip di dimensioni compatte, che garantiscono bassa capacità e carica del gate. Questo MOSFET EliteSiC è testato 100% UIL e omologato AEC−Q101. Il MOSFET NVHL015N065SC1 presenta una tensione drain−to−source 650 V e una resistenza 12 mohm. Le applicazioni tipiche includono inverter di trazione automobilistici, convertitori CC/CC per EV/HEV e caricabatterie di bordo.