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NVHL060N065SC1

Name: onsemi NVHL060N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVHL060N065SC1
Price: 13.39 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-NVHL060N065SC1

N. produttore:

NVHL060N065SC1

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET SiC SIC MOS TO247-3L 650V

Scheda dati:

NVHL060N065SC1 Scheda dati

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET SiC
RoHS::
REACH - SVHC:
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	650 V
Id - corrente di drain continua:	47 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	44 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4.3 V
Qg - Carica del gate:	74 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	176 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	EliteSiC
Marchio:	onsemi
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	8 ns
Transconduttanza diretta - Min:	2 S
Confezione:	Tube
Tipo di prodotto:	SiC MOSFETS
Tempo di salita:	32 ns
Serie:	NVHL060N065SC1
Quantità colli di fabbrica:	30
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	SiC
Ritardo di spegnimento tipico:	23 ns
Tipico ritardo di accensione:	12 ns

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Scheda dati

NVHL060N065SC1 Scheda dati

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET EliteSiC M2

I MOSFET EliteSiC M2 di onsemi presentano opzioni di tensione di 650 V, 750 V e 1200 V. I MOSFET M2 di onsemi sono disponibili in vari package, tra cui D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD e TO-247-4LD. I MOSFET offrono flessibilità di progettazione e implementazione. Inoltre, i MOSFET EliteSiC M2 presentano una tensione gate-source massima di +22 V/-8 V, basso R_DS(on) e un elevato tempo di resistenza ai cortocircuiti (SCWT).

MOSFET EliteSiC NVHL060N065SC1

I MOSFET EliteSiC NVHL060N065SC1 di onsemi sono MOSFET a canale N singolo 650 V, 60 mΩ (tip.) e 47 A dal design compatto ed efficiente per prestazioni termiche elevate. Questo MOSFET impiega una tecnologia completamente nuova che offre prestazioni di commutazione superiori ed elevata affidabilità rispetto al silicio. Inoltre, la bassa resistenza In conduzione e le dimensioni del chip compatte garantiscono bassa capacità e carica del gate. Il MOSFET di potenza NVHL060N065SC1 offre alta efficienza, frequenza di funzionamento più rapida, maggiore densità di potenza, EMI ridotte e dimensioni del sistema ridotte Questo MOSFET è qualificato AEC-Q101 ed è compatibile con PPAP. Le applicazioni tipiche comprendono caricabatterie di bordo per il settore automobilistico e convertitori CC/CC per veicoli elettrici (EV).