onsemi EliteSiC
onsemi EliteSiC soddisfa le esigenze di applicazioni esigenti come inverter solari, caricabatterie per veicoli elettrici e gruppi statici di continuità. I dispositivi sono una gamma completa di diodi al carburo di silicio (SiC), MOSFET, moduli e gate driver a risparmio energetico.
Caratteristiche
- Design planare robusto/di qualità comprovata
- Controllo in corso di lavorazione e burn-in
- Scansione dei difetti durante la produzione
- Test di valanga al 100% di tutte le die
- Nessuna deriva nella soglia o nei parametri
- Affidabilità superiore dell'ossido di gate
- Qualifica automobilistica AECQ-100
- Migliori utensili di progettazione della loro classe
- Modelli di simulazione fisici e scalabili accurati
- Note applicative e guide alla progettazione
- Produzione completamente integrata, dalla polvere ai prodotti
- Di classe automobilistica o industriale per tutti i valori e i package
- Offerta SiC di terza generazione
- Ottimizzato per il funzionamento a temperature elevate
- Diodi, bassa dipendenza dalla temperatura di resistenza in serie
- MOSFET, recupero inverso stabile sulla temperatura
- Capacità parassite migliorate per applicazioni ad alta efficienza e alta frequenza
- Grande die con bassa RDS(on) disponibile
- Ottimizzato per il funzionamento a temperature elevate
- Ampia offerta in moduli integrati di potenza (PIM) standard e personalizzati
- Ampio portafoglio di tensioni e RSD(on) disponibile in package a 3 e 4 conduttori
Catena di fornitura SIC completa
Video
Diodi
onsemi Diodi EliteSiC D3
Una soluzione per applicazioni che richiedono il raddrizzamento di uscita e PFC ad alta potenza.
onsemi Diodi EliteSiC D2
Gamma di diodi ad alte prestazioni progettati per applicazioni che richiedono una tensione nominale di 650 V.
onsemi Diodi EliteSiC D1
Soluzione versatile e ad alte prestazioni progettata per le moderne applicazioni elettroniche di alimentazione.
MOSFET
onsemi MOSFET EliteSiC M3P
Una soluzione per applicazioni ad alta tensione con una tensione nominale massima di 1200 V.
onsemi MOSFET EliteSiC M3S
Soluzioni per applicazioni di commutazione ad alta frequenza che utilizzano topologie hard-switch.
onsemi MOSFET EliteSiC M2
Presentano opzioni di tensione di 650 V, 750 V e 1200 V.
onsemi MOSFET EliteSiC M1
Valori nominali di tensione di 1200 V e 1700 V.
IGBTs
onsemi IGBT FS4
Soluzione potente ed efficiente per varie applicazioni industriali e automobilistiche.
Applicazioni correlate
onsemi Accoppiamento dei driver di porta con MOSFET EliteSiC
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Componente soluzioni per soddisfare le esigenze di applicazioni come gli inverter solari e altro ancora.