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NVHL075N065SC1

Name: onsemi NVHL075N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVHL075N065SC1
Price: 10.82 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-NVHL075N065SC1

N. produttore:

NVHL075N065SC1

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET SiC SIC MOS TO247-3L 650V 75MOHM

Scheda dati:

NVHL075N065SC1 Scheda dati

Modello ECAD:

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET SiC
RoHS::
REACH - SVHC:
Stile di montaggio:	Through Hole
Package/involucro:	TO-247-3
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	650 V
Id - corrente di drain continua:	38 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	85 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 5 V, + 18 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4.3 V
Qg - Carica del gate:	61 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	74 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	EliteSiC
Marchio:	onsemi
Tempo di caduta:	8 ns
Transconduttanza diretta - Min:	9 S
Confezione:	Tube
Prodotto:	Mosfets
Tipo di prodotto:	SiC MOSFETS
Tempo di salita:	26 ns
Serie:	NVHL075N065SC1
Quantità colli di fabbrica:	30
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	SiC
Ritardo di spegnimento tipico:	22 ns
Tipico ritardo di accensione:	10 ns

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NVHL075N065SC1 Scheda dati

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET al carburo di silicio (SiC) NVHL075N065SC1

I MOSFET al carburo di silicio (SIC) NVHL075N065SC1 onsemi sono dispositivi ad alte prestazioni con caratteristiche eccezionali. L'NVHL075N065SC1 di Onsemi offre una R_DS(on) tipica di 57mΩ a una tensione gate-source V_GS) di 18V e 75mΩ a 15V. Il dispositivo presenta una carica del gate ultrabassa (Q_G(tot) = 61 nC) e una bassa capacità di uscita (C_oss = 107 pF), garantendo una commutazione rapida e minori perdite di potenza.

MOSFET EliteSiC M2

I MOSFET EliteSiC M2 di onsemi presentano opzioni di tensione di 650 V, 750 V e 1200 V. I MOSFET M2 di onsemi sono disponibili in vari package, tra cui D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD e TO-247-4LD. I MOSFET offrono flessibilità di progettazione e implementazione. Inoltre, i MOSFET EliteSiC M2 presentano una tensione gate-source massima di +22 V/-8 V, basso R_DS(on) e un elevato tempo di resistenza ai cortocircuiti (SCWT).