STMicroelectronics Transistori di potenza PowerGaN™ SGT G-HEMT in modalità E
I transistori SGT G-HEMT™ E-Mode PowerGaN di STMicroelectronics sono dispositivi potenziati GaN ad alte prestazioni e modalità (normalmente disattivati) progettati per garantire una commutazione eccezionalmente rapida, basse perdite di conduzione e un'elevata densità di potenza nelle applicazioni di conversione di potenza più esigenti. Questi transistori sfruttano i vantaggi della banda proibita ad ampio spettro del nitruro di gallio per ottenere capacità estremamente basse, carica di gate minima e carica di recupero inversa pari a zero, consentendo un'efficienza superiore rispetto agli interruttori di potenza tradizionali in silicio.
I transistori SGT di STMicroelectronics combinano strutture avanzate G‑HEMT con robuste tecnologie di packaging per supportare un'elevata capacità di alta corrente e un comportamento di commutazione ultra‑veloce, promuovendo prestazioni termiche migliorate e progetti di sistemi compatti. Le caratteristiche principali includono i pad Kelvin‑sorgente per una guida gate ottimizzata, alta potenza‑gestione capacità e una forte robustezza ESD, rendendo questi transistori adatti per convertitori CA‑CC e CC‑CC, sistemi di inverter solari, alimentatori industriali e altri sistemi ad alta frequenza e alta efficienza. Nel complesso, il portafoglio E-mode PowerGaN di ST fornisce ai progettisti una potente piattaforma per la creazione di energia di nuova generazione elettronica con efficienza più elevata, dimensioni ridotte e prestazioni potenziate.
Caratteristiche
- Transistor a effetto di campo a montaggio superficiale in modalità di miglioramento normalmente spento
- Velocità di commutazione molto elevata
- Alta capacità di gestione dell'energia
- Capacità estremamente basse
- Carica di recupero inverso zero
- Configurazione a singolo canale
- Pad sorgente Kelvin per la guida ottimale del gate (stile del package selezionabile)
- Protezione ESD
- Conforme a RoHS
Applicazioni
- Convertitori CA-CC
- Convertitori CC-CC
- Inverter solari
- Adattatori per tablet, notebook e AIO
- Adattatori e caricatori rapidi USB Type C® PD
Specifiche
- Opzioni di tensione di soglia gate-source 1,8 V o 2,5 V
- Opzioni di tensione di rottura drain-source 650 V o 700 V
- Portata di corrente di drain continua da 6 A a 29 A
- Intervallo di resistenza drain-source da 65 mΩ a 350 mΩ
- Portata di dissipazione di potenza da 47 W a 305 W
- Portata di carica del gate da 1,5 nC a 8,5 nC
- Portata di tempo di incremento da 3,5 ns a 9 ns
- Portata di tempo di riduzione da 4 ns a 9 ns
- Portata di tempo di ritardo di spegnimento tipico da 1,2 ns a 7 ns
- portata di tempo di ritardo di accensione tipico da 0,9 ns a 10 ns
- Intervallo di temperatura di funzionamento da -55 °C a +150 °C
- Opzioni di package DPAK-3, PowerFLAT-4, PowerFLAT-8 e TO-LL-11
Transistori in primo piano
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT070R70HTO
Costruito sulla tecnologia GaN e progettato per applicazioni di conversione di potenza impegnative.
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB
Transistor E-Mode PowerGaN progettato per applicazioni di conversione di potenza ad alta efficienza.
STMicroelectronics Transistor PowerGaN E-Mode SGT350R70GTK
Transistor PowerGaN E-Mode ottimizzato per una conversione di potenza efficiente in applicazioni impegnative.
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT65R65AL
Transistori da 650 V, 25 A combinati con una tecnologia di packaging consolidata.
Completa il tuo progetto
STMicroelectronics Standard Products
A broad range of drop-in replacements for general-purpose analog ICs, discretes, and serial EEPROMs.
| Codice prodotto | Scheda dati | Id - corrente di drain continua | Pd - Dissipazione di potenza | Qg - Carica del gate | Rds On - Drain-source sulla resistenza |
|---|---|---|---|---|---|
| SGT070R70HTO |  |
26 A | 231 W | 8.5 nC | 70 mOhms |
| SGT350R70GTK | |
6 A | 47 W | 1.5 nC | 350 mOhms |
| SGT080R70ILB | |
29 A | 188 W | 6.2 nC | 80 mOhms |
| SGT105R70ILB | |
21.7 A | 158 W | 4.8 nC | 105 mOhms |
| SGT140R70ILB | |
17 A | 113 W | 3.5 nC | 140 mOhms |
| SGT190R70ILB | |
11.5 A | 83 W | 2.8 nC | 190 mOhms |
| SGT240R70ILB | |
10 A | 76 W | 2 nC | 240 mOhms |
| SGT65R65AL | |
25 A | 305 W | 5.4 nC | 65 mOhms |