STMicroelectronics Transistor PowerGaN E-Mode G-HEMT™
I transistor PowerGaN E-Mode G-HEMT™ di STMicroelectronics sono dispositivi GaN ad alte prestazioni in modalità di arricchimento (normalmente chiusi), progettati per garantire una commutazione eccezionalmente rapida, basse perdite di conduzione e un'elevata densità di potenza in applicazioni di conversione di potenza particolarmente esigenti. Questi transistor sfruttano i vantaggi del nitruro di gallio, materiale a banda larga, per ottenere capacità estremamente basse, una carica di gate minima e una carica di recupero inverso pari a zero, garantendo un'efficienza superiore rispetto ai tradizionali interruttori di potenza in silicio.
I transistor PowerGaN E-Mode G-HEMT™ di STMicroelectronics combinano strutture G-HEMT avanzate con tecnologie di incapsulamento robuste per garantire un'elevata capacità di corrente e un comportamento di commutazione ultraveloce, favorendo prestazioni termiche migliorate e progetti di sistema compatti. Tra le funzionalità principali figurano i pad con una sorgente in gradi Kelvin per un pilotaggio ottimizzato del gate, la gestione di potenze elevate e un'elevata resistenza alle scariche elettrostatiche (ESD), che rendono questi transistor particolarmente adatti per convertitori CA-CC e CC-CC, inverter solari, alimentatori industriali e altri sistemi ad alta frequenza e ad alta efficienza. Nel complesso, la gamma E-Mode PowerGaN di ST offre ai progettisti una potente piattaforma per la realizzazione di sistemi di elettronica di potenza di nuova generazione caratterizzati da maggiore efficienza, dimensioni ridotte e prestazioni migliorate.
Caratteristiche
- Transistor a effetto di campo a montaggio superficiale in modalità di miglioramento normalmente spento
- Velocità di commutazione molto elevata
- Alta capacità di gestione dell'energia
- Capacità estremamente basse
- Carica di recupero inverso zero
- Configurazione a singolo canale
- Pad sorgente Kelvin per la guida ottimale del gate (stile del package selezionabile)
- Protezione ESD
- Conforme a RoHS
Applicazioni
- Convertitori CA-CC
- Convertitori CC-CC
- Inverter solari
- Adattatori per tablet, notebook e AIO
- Adattatori e caricatori rapidi USB tipo C® PD
Specifiche
- Opzioni di tensione di soglia gate-source 1,8 V o 2,5 V
- Opzioni di tensione di rottura drain-source 650 V o 700 V
- Portata di corrente di drain continua da 6 A a 29 A
- Intervallo di resistenza drain-source da 65 mΩ a 350 mΩ
- Portata di dissipazione di potenza da 47 W a 305 W
- Portata di carica del gate da 1,5 nC a 8,5 nC
- Portata di tempo di incremento da 3,5 ns a 9 ns
- Portata di tempo di riduzione da 4 ns a 9 ns
- Portata di tempo di ritardo di spegnimento tipico da 1,2 ns a 7 ns
- portata di tempo di ritardo di accensione tipico da 0,9 ns a 10 ns
- Intervallo di temperatura di funzionamento da -55 °C a +150 °C
- Opzioni di package DPAK-3, PowerFLAT-4, PowerFLAT-8 e TO-LL-11
Transistori in primo piano
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT070R70HTO
Costruito sulla tecnologia GaN e progettato per applicazioni di conversione di potenza impegnative.
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB
Transistor E-Mode PowerGaN progettato per applicazioni di conversione di potenza ad alta efficienza.
STMicroelectronics Transistor PowerGaN E-Mode SGT350R70GTK
Transistor PowerGaN E-Mode ottimizzato per una conversione di potenza efficiente in applicazioni impegnative.
STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT65R65AL
Transistori da 650 V, 25 A combinati con una tecnologia di packaging consolidata.
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STMicroelectronics Standard Products
A broad range of drop-in replacements for general-purpose analog ICs, discretes, and serial EEPROMs.
| Codice prodotto | Scheda dati | Id - corrente di drain continua | Pd - Dissipazione di potenza | Qg - Carica del gate | Rds On - Drain-source sulla resistenza |
|---|---|---|---|---|---|
| SGT140R70ILB |  |
17 A | 113 W | 3.5 nC | 140 mOhms |
| SGT240R70ILB | |
10 A | 76 W | 2 nC | 240 mOhms |
| SGT190R70ILB | |
11.5 A | 83 W | 2.8 nC | 190 mOhms |
| SGT105R70ILB | |
21.7 A | 158 W | 4.8 nC | 105 mOhms |
| SGT070R70HTO | |
26 A | 231 W | 8.5 nC | 70 mOhms |
| SGT080R70ILB | |
29 A | 188 W | 6.2 nC | 80 mOhms |
| SGT350R70GTK | |
6 A | 47 W | 1.5 nC | 350 mOhms |
| SGT65R65AL | |
25 A | 305 W | 5.4 nC | 65 mOhms |