SGT350R70GTK

STMicroelectronics
511-SGT350R70GTK
SGT350R70GTK

Produttore:

Descrizione:
GaN FETs 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor
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STMicroelectronics
Categoria prodotto: GaN FETs
RoHS::  
SMD/SMT
DPAK-3
700 V
6 A
350 mOhms
- 1.4 V, + 7 V
2.5 V
1.5 nC
- 55 C
+ 150 C
47 W
Enhancement
GaN
Marchio: STMicroelectronics
Configurazione: Single
Tempo di caduta: 6.1 ns
Sensibili all’umidità: Yes
Confezione: Reel
Confezione: Cut Tape
Confezione: MouseReel
Prodotto: FET
Tipo di prodotto: GaN FETs
Tempo di salita: 3.5 ns
Serie: SGT
Quantità colli di fabbrica: 2500
Sottocategoria: Transistors
Tipo: PowerGaN Transistor
Ritardo di spegnimento tipico: 1.2 ns
Tipico ritardo di accensione: 0.9 ns
Peso unità: 300 mg
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Scheda dati

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Codici di conformità
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Classificazioni di origine
Paese di origine:
Cina
Paese di origine dell'assemblaggio:
Cina
Paese di diffusione:
Non disponibile
Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

Transistor PowerGaN E-Mode G-HEMT™

I transistor PowerGaN E-Mode G-HEMT™ di STMicroelectronics sono dispositivi GaN ad alte prestazioni in modalità di arricchimento (normalmente chiusi), progettati per garantire una commutazione eccezionalmente rapida, basse perdite di conduzione e un'elevata densità di potenza in applicazioni di conversione di potenza particolarmente esigenti. Questi transistor sfruttano i vantaggi del nitruro di gallio, materiale a banda larga, per ottenere capacità estremamente basse, una carica di gate minima e una carica di recupero inverso pari a zero, garantendo un'efficienza superiore rispetto ai tradizionali interruttori di potenza in silicio.

Transistor PowerGaN E-Mode SGT350R70GTK

Il transistor PowerGaN E-Mode SGT350R70GTK di STMicroelectronics è un transistor PowerGaN ad arricchimento (E-Mode) ad alte prestazioni, ottimizzato per una conversione di potenza efficiente in applicazioni impegnative. Con una tensione nominale drain-source di 700V e una resistenza massima di 350mΩ, il transistor SGT350R70GTK di STMicroelectronics offre bassi livelli di perdite in conduzione e capacità di commutazione rapida grazie alla tecnologia al nitruro di gallio (GaN). Confezionato in un formato DPAK termicamente potenziato, il dispositivo supporta la gestione di alta corrente e una dissipazione del calore migliorata, adatto per progetti ad alta densità di potenza. Una bassa carica di gate e una bassa capacità di uscita consentono il funzionamento ad alta frequenza, ideale per l'uso nella correzione del fattore di potenza (PFC), nei convertitori risonanti e in altre topologie di potenza avanzate nei settori industriale, delle telecomunicazioni e dell'elettronica di consumo.

A magazzino: 652

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Prezzo Unitario:
-,-- €
Prezzo esteso:
-,-- €
Stima Tariffa:
Confezione:
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)

Prezzi (EUR)

Qtà Prezzo Unitario
Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ †
2,41 € 2,41 €
1,19 € 11,90 €
1,07 € 107,00 €
0,857 € 428,50 €
0,826 € 826,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)
0,716 € 1.790,00 €
0,68 € 3.400,00 €
† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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