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SGT350R70GTK

Name: STMicroelectronics SGT350R70GTK
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT350R70GTK
Price: 2.24 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

511-SGT350R70GTK

N. produttore:

SGT350R70GTK

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

GaN FETs 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor

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Scheda dati:

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-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	2,24 €	2,24 €
	1,44 €	14,40 €
	1,03 €	103,00 €
	0,869 €	434,50 €
	0,82 €	820,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)
	0,702 €	1.755,00 €
	0,697 €	3.485,00 €
	0,68 €	6.800,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	GaN FETs
RoHS::
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	DPAK-3
Vds - Tensione di rottura drain-source:	700 V
Id - corrente di drain continua:	6 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	350 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 1.4 V, + 7 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.5 V
Qg - Carica del gate:	1.5 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	47 W
Modalità canale:	Enhancement
Marchio:	STMicroelectronics
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	6.1 ns
Sensibili all’umidità:	Yes
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Prodotto:	FET
Tipo di prodotto:	GaN FETs
Tempo di salita:	3.5 ns
Serie:	SGT
Quantità colli di fabbrica:	2500
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	GaN
Tipo:	PowerGaN Transistor
Ritardo di spegnimento tipico:	1.2 ns
Tipico ritardo di accensione:	0.9 ns
Peso unità:	300 mg

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TARIC:: 8541290000
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USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Transistor PowerGaN E-Mode SGT350R70GTK

Il transistor PowerGaN E-Mode SGT350R70GTK di STMicroelectronics è un transistor PowerGaN ad arricchimento (E-Mode) ad alte prestazioni, ottimizzato per una conversione di potenza efficiente in applicazioni impegnative. Con una tensione nominale drain-source di 700V e una resistenza massima di 350mΩ, il transistor SGT350R70GTK di STMicroelectronics offre bassi livelli di perdite in conduzione e capacità di commutazione rapida grazie alla tecnologia al nitruro di gallio (GaN). Confezionato in un formato DPAK termicamente potenziato, il dispositivo supporta la gestione di alta corrente e una dissipazione del calore migliorata, adatto per progetti ad alta densità di potenza. Una bassa carica di gate e una bassa capacità di uscita consentono il funzionamento ad alta frequenza, ideale per l'uso nella correzione del fattore di potenza (PFC), in convertitori risonanti e in altre avanzate topologie di potenza nei settori industriale, delle telecomunicazioni e dell'elettronica di consumo.