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SGT350R70GTK

Name: STMicroelectronics SGT350R70GTK
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT350R70GTK
Price: 2.41 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

511-SGT350R70GTK

N. produttore:

SGT350R70GTK

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

GaN FETs 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor

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Scheda dati:

SGT350R70GTK Scheda dati (PDF)

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-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	2,41 €	2,41 €
	1,56 €	15,60 €
	1,07 €	107,00 €
	0,857 €	428,50 €
	0,80 €	800,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)
	0,716 €	1.790,00 €
	0,68 €	3.400,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	GaN FETs
RoHS::
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	DPAK-3
Vds - Tensione di rottura drain-source:	700 V
Id - corrente di drain continua:	6 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	350 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 1.4 V, + 7 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.5 V
Qg - Carica del gate:	1.5 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	47 W
Modalità canale:	Enhancement
Marchio:	STMicroelectronics
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	6.1 ns
Sensibili all’umidità:	Yes
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Prodotto:	FET
Tipo di prodotto:	GaN FETs
Tempo di salita:	3.5 ns
Serie:	SGT
Quantità colli di fabbrica:	2500
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	GaN
Tipo:	PowerGaN Transistor
Ritardo di spegnimento tipico:	1.2 ns
Tipico ritardo di accensione:	0.9 ns
Peso unità:	300 mg

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Scheda dati

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Codici di conformità

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classificazioni di origine

Paese di origine:: Cina
Paese di origine dell'assemblaggio:: Cina
Paese di diffusione:: Non disponibile

Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

Transistor PowerGaN E-Mode G-HEMT™

I transistor PowerGaN E-Mode G-HEMT™ di STMicroelectronics sono dispositivi GaN ad alte prestazioni in modalità di arricchimento (normalmente chiusi), progettati per garantire una commutazione eccezionalmente rapida, basse perdite di conduzione e un'elevata densità di potenza in applicazioni di conversione di potenza particolarmente esigenti. Questi transistor sfruttano i vantaggi del nitruro di gallio, materiale a banda larga, per ottenere capacità estremamente basse, una carica di gate minima e una carica di recupero inverso pari a zero, garantendo un'efficienza superiore rispetto ai tradizionali interruttori di potenza in silicio.

Transistor PowerGaN E-Mode SGT350R70GTK

Il transistor PowerGaN E-Mode SGT350R70GTK di STMicroelectronics è un transistor PowerGaN ad arricchimento (E-Mode) ad alte prestazioni, ottimizzato per una conversione di potenza efficiente in applicazioni impegnative. Con una tensione nominale drain-source di 700V e una resistenza massima di 350mΩ, il transistor SGT350R70GTK di STMicroelectronics offre bassi livelli di perdite in conduzione e capacità di commutazione rapida grazie alla tecnologia al nitruro di gallio (GaN). Confezionato in un formato DPAK termicamente potenziato, il dispositivo supporta la gestione di alta corrente e una dissipazione del calore migliorata, adatto per progetti ad alta densità di potenza. Una bassa carica di gate e una bassa capacità di uscita consentono il funzionamento ad alta frequenza, ideale per l'uso nella correzione del fattore di potenza (PFC), nei convertitori risonanti e in altre topologie di potenza avanzate nei settori industriale, delle telecomunicazioni e dell'elettronica di consumo.