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SGT080R70ILB

Name: STMicroelectronics SGT080R70ILB
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT080R70ILB
Price: 5.89 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

511-SGT080R70ILB

N. produttore:

SGT080R70ILB

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

GaN FETs 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor

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Scheda dati:

SGT080R70ILB Scheda dati (PDF)

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-,-- €

Prezzo esteso:

-,-- €

Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	5,89 €	5,89 €
	3,96 €	39,60 €
	2,87 €	287,00 €
	2,69 €	1.345,00 €
	2,34 €	2.340,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	2,28 €	6.840,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	GaN FETs
RoHS::
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	PowerFLAT-8
Vds - Tensione di rottura drain-source:	700 V
Id - corrente di drain continua:	29 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	80 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 6 V, + 7 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.5 V
Qg - Carica del gate:	6.2 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	188 W
Modalità canale:	Enhancement
Marchio:	STMicroelectronics
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	4 ns
Sensibili all’umidità:	Yes
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Prodotto:	FET
Tipo di prodotto:	GaN FETs
Tempo di salita:	4 ns
Serie:	SGT
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	GaN
Tipo:	PowerGaN Transistor
Ritardo di spegnimento tipico:	5 ns
Tipico ritardo di accensione:	3 ns
Peso unità:	154 mg

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Scheda dati

SGT080R70ILB Scheda dati (PDF)

PCN

Product Change Notification 2025-11-26 (PDF)

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Codici di conformità

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classificazioni di origine

Paese di origine:: Cina
Paese di origine dell'assemblaggio:: Non disponibile
Paese di diffusione:: Non disponibile

Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB

Il transistor E-Mode PowerGaN SGT080R70ILB di STMicroelectronics è un transistor in modalità potenziamento progettato per applicazioni di conversione di potenza ad alta efficienza. Dotato di una tensione nominale drain-source di 700 V e di una resistenza di tipica di soli 80 mΩ, il SGT080R70ILB di STMicroelectronics sfrutta le prestazioni di commutazione superiori del nitruro di gallio (GaN), una tecnologia per ridurre al minimo la conduzione e le perdite di commutazione. Alloggiato in un compatto package PowerFLAT 8x8 HV, il transistor supporta il funzionamento ad alta frequenza ed è ideale per l'uso in convertitori risonanti, stadi di correzione del fattore di potenza (PFC) e convertitori CC-CC. Una bassa carica di gate e capacità di uscita consentono transizioni più veloci e una ridotta dissipazione di energia, rendendo lo SGT080R70ILB adatto per applicazioni impegnative nell'elettronica di consumo, nei sistemi industriali e nei data center.

Transistor PowerGaN E-Mode G-HEMT™

I transistor PowerGaN E-Mode G-HEMT™ di STMicroelectronics sono dispositivi GaN ad alte prestazioni in modalità di arricchimento (normalmente chiusi), progettati per garantire una commutazione eccezionalmente rapida, basse perdite di conduzione e un'elevata densità di potenza in applicazioni di conversione di potenza particolarmente esigenti. Questi transistor sfruttano i vantaggi del nitruro di gallio, materiale a banda larga, per ottenere capacità estremamente basse, una carica di gate minima e una carica di recupero inverso pari a zero, garantendo un'efficienza superiore rispetto ai tradizionali interruttori di potenza in silicio.