STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT65R65AL
I transistori e-mode PowerGaN SGT65R65AL di STMicroelectronics sono transistori da 650 V, 25 A combinati con una tecnologia di packaging consolidata. Il SGT65R65AL di STMicroelectronics ha un dispositivo G-HEMT risultante che fornisce perdite di conduzione estremamente basse, capacità ad alta corrente e funzionamento di commutazione ultraveloce. Il dispositivo può consentire alta densità di potenza e prestazioni di efficienza imbattibili.
Caratteristiche
- Transistor ad arricchimento normalmente spento
- Alta velocità di commutazione
- Alta capacità di gestione dell'energia
- Capacità estremamente basse
- Pad sorgente Kelvin per il pilotaggio ottimale del gate
- Zero reverse recovery charge
Applicazioni
- Convertitori CA-CC
- PSU CA-CC per server e telecomunicazioni
- Illuminazione LED
- Gruppi di continuità (UPS)
Circuiti di prova
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Pubblicato: 2023-03-07
| Aggiornato: 2026-02-18