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SGT65R65AL

Name: STMicroelectronics SGT65R65AL
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT65R65AL
Price: 8.37 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

511-SGT65R65AL

N. produttore:

SGT65R65AL

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

GaN FETs 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor

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Scheda dati:

SGT65R65AL Scheda dati (PDF)

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Stima Tariffa:

Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	8,37 €	8,37 €
	5,79 €	57,90 €
	4,71 €	471,00 €
	4,68 €	2.340,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	4,06 €	12.180,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	GaN FETs
RoHS::
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	PowerFLAT-4
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	650 V
Id - corrente di drain continua:	25 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	65 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	+ 6 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	1.8 V
Qg - Carica del gate:	5.4 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	305 W
Marchio:	STMicroelectronics
Sensibili all’umidità:	Yes
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Tipo di prodotto:	GaN FETs
Serie:	SGT
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	GaN-on-Si
Tipo di transistor:	E-Mode
Tipo:	RF Power MOSFET
Peso unità:	76 mg

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Scheda dati

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Application Notes

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Transistor PowerGaN e-mode SGT65R65AL

I transistor PowerGaN e-mode SGT65R65AL di STMicroelectronics sono transistor da 650 V, 25 A combinati con una tecnologia di packaging consolidata. Il SGT65R65AL di STMicroelectronics ha un dispositivo G-HEMT che fornisce perdite di conduzione estremamente basse, alta capacità di corrente e funzionamento di commutazione ultrarapido. Il dispositivo può consentire alta densità di potenza e prestazioni di efficienza imbattibili.