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SGT65R65AL

Name: STMicroelectronics SGT65R65AL
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT65R65AL
Price: 4.71 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

511-SGT65R65AL

N. produttore:

SGT65R65AL

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

GaN FETs 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor

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Scheda dati:

SGT65R65AL Scheda dati (PDF)

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	GaN FETs
RoHS::
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	PowerFLAT-4
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	650 V
Id - corrente di drain continua:	25 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	65 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	+ 6 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	1.8 V
Qg - Carica del gate:	5.4 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:	305 W
Marchio:	STMicroelectronics
Sensibili all’umidità:	Yes
Confezione:	Reel
Tipo di prodotto:	GaN FETs
Serie:	SGT
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	GaN-on-Si
Tipo di transistor:	E-Mode
Tipo:	RF Power MOSFET
Peso unità:	76 mg

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Application Notes

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Codici di conformità

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classificazioni di origine

Paese di origine:: Cina
Paese di origine dell'assemblaggio:: Non disponibile
Paese di diffusione:: Non disponibile

Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

Transistor PowerGaN E-Mode G-HEMT™

I transistor PowerGaN E-Mode G-HEMT™ di STMicroelectronics sono dispositivi GaN ad alte prestazioni in modalità di arricchimento (normalmente chiusi), progettati per garantire una commutazione eccezionalmente rapida, basse perdite di conduzione e un'elevata densità di potenza in applicazioni di conversione di potenza particolarmente esigenti. Questi transistor sfruttano i vantaggi del nitruro di gallio, materiale a banda larga, per ottenere capacità estremamente basse, una carica di gate minima e una carica di recupero inverso pari a zero, garantendo un'efficienza superiore rispetto ai tradizionali interruttori di potenza in silicio.

Transistor PowerGaN e-mode SGT65R65AL

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