STMicroelectronics Gate driver a mezzo ponte STDRIVEG600

Il gate driver a mezzo ponte STDRIVEG600 di STMicroelectronics è un gate driver a mezzo ponte a chip singolo per eHEMT al GaN (nitruro di gallio) (transistor ad arricchimento ad alta mobilità elettronica) o MOSFET di potenza a canale N. Il lato a monte dell'STDRIVEG600 è progettato per resistere a tensioni fino a 600 V ed è adatto a progetti con tensione di bus fino a 500 V. Questo dispositivo è ideale per il pilotaggio di FET GaN e al silicio ad alta velocità grazie alla sua capacità di corrente elevata, al breve ritardo di propagazione e al funzionamento con una tensione di alimentazione fino a 5 V.

L'STDRIVEG600 presenta una protezione UVLO (blocco sottotensione) sia sulle sezioni di guida inferiori che superiori che impedisce agli interruttori di alimentazione di funzionare in condizioni di bassa efficienza o pericolose. Il dispositivo include anche una funzione d'interblocco che elimina le condizioni di conduzione incrociata.

Gli ingressi logici sono compatibili con CMOS/TTL fino a 3,3 V per un facile interfacciamento con microcontroller e DSP.

Il gate driver a mezzo ponte STDRIVE600 di STMicroelectronics è disponibile in un package SO-16 con un intervallo della temperatura di funzionamento di giunzione da -40 °C a 150 °C.

The STDRIVEG210 and the STDRIVEG211 are two new high-voltage half-bridge gate drivers for N channel Enhancement Mode GaN with High voltage rail up to 220 V. Both the STDRIVEG210 and STDRIVEG211 feature the high-side driver section to stand a voltage rail up to 220 V and can be easily supplied by the integrated bootstrap diode. High current capability, short propagation delay with excellent delay matching, and integrated LDOs make the STDRIVEG210 and the STDRIVEG211 optimized for driving high-speed GaN.

The STDRIVEG210 features supply UVLOs tailored to fast startup and low consumption soft-switching applications, but with full hard switching support and interlocking to avoid cross-conduction conditions. The high-side regulator is characterized by very short wake-up time to maximize the application efficiency during intermittent operation (burst mode).

The STDRIVEG211 features supply UVLOs tailored to hard switching applications, interlocking to avoid cross-conduction conditions and an overcurrent comparator with SmartSD. The input pins extended range allows easy interfacing with controllers. A standby pin allows to reduce the power consumption during inactive periods or burst mode.

Both the STDRIVEG210 and the STDRIVEG211 operate in the industrial temperature range, -40 °C to 125 °C. The devices are available in a compact QFN 4x5x1 mm package with 0.5 mm pitch.

Caratteristiche

Capacità di corrente del driver
- Sorgente/dissipatore 1.3A/2.4A tipica a 25 °C, 6 V
- Sorgente/dissipatore 5A/6A tipica a 25 °C, 15 V
Accensione e spegnimento separati dei pin del gate driver
Ritardo di propagazione di 45 ns con corrispondenza stretta
Ingressi TTL/CMOS da 3 V, 5 V con isteresi
Funzione d'interblocco