STMicroelectronics Scheda dimostrativa EVSTDRIVEG600DG
La scheda dimostrativa EVSTDRIVEG600DG di STMicroelectronics fornisce un progetto di riferimento di topologia half bridge che combina il gate driver STDRIVEG600 con un HEMT GaN da 650 V 150 mΩ. STDRIVEG600 è un gate driver half bridge a chip singolo per eHEMT (transistor ad alta mobilità elettronica arricchimento) al GaN (nitruro di gallio) o MOSFET di potenza a canale N. STDRIVEG600 è progettata per resistere a tensioni a monte fino a 600 V ed è adatto per progetti con tensione bus fino a 500 V.
La scheda dimostrativa EVSTDRIVEG600DG STMicroelectronics include uno STDRIVEG600 pre-montato in un package SO-16 e un HEMT GaN GS-065-011-1-L da 150 mΩ e 650 V in un package PowerFLAT™ con sorgente Kelvin. La scheda dimostrativa presenta anche un generatore di tempo morto programmabile integrato e un regolatore di tensione lineare da 3,3 V per erogare controller logici esterni come i microcontroller.
Sono inclusi spazi liberi per consentire la personalizzazione della scheda per l'applicazione finale, come segnale di ingresso separato o singolo segnale PWM, l'uso di diodo di bootstrap esterno opzionale, l'alimentazione separata per VCC, pVCC o BOOT e l'uso di un resistore shunt a valle per le topologie in modalità corrente di picco.
Caratteristiche
- Topologia half bridge basata sul gate driver STDRIVEG600
- HEMT GaN con raffreddamento a valle da 150 mΩ 650 V GS-065 - 011-1-L GaN Systems
- Package PowerFLAT da 5 mm x 6 mm con sorgente Kelvin
- Regolatore lineare LDO da 3,3 V ST715M33R
- Alimentazione ad alta tensione fino a 500 V
- Tensione di alimentazione del gate driver da 4,75 V a 6,5 V VCC, limitata dalla tensione nominale GaN VGS
- Generatore di tempo morto regolabile integrato per convertire il singolo segnale PWM in tempi morti indipendenti a monte e a valle
- Ingressi separati opzionali con tempo morto esterno
- Resistenza termica da giunzione a ambiente 25° C/W per la valutazione di grandi topologie di potenza
- Connettore ad alta frequenza per il monitoraggio del transistor di potenza GaN gate
- Shunt a valle opzionale
- PCB FR-4 di 50 mm x 70 mm
- Conforme a RoHS
Documenti
Dispositivi supportati
STMicroelectronics Gate driver a mezzo ponte STDRIVEG600
Gate driver a mezzo ponte a chip singolo per GaN FET ad arricchimento o MOSFET di potenza a canale N.
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