STMicroelectronics Scheda dimostrativa EVSTDRIVEG600DM
La scheda dimostrativa EVSTDRIVEG600DM STMicroelectronics fornisce un progetto di riferimento di topologia half bridge che combina il gate driver STDRIVEG600 con un MOSFET di potenza DM2 MDmesh™. STDRIVEG600 è un gate driver half bridge a chip singolo per eHEMT (transistor ad alta mobilità elettronica arricchimento) al GaN (nitruro di gallio) o MOSFET di potenza a canale N. STDRIVEG600 è progettata per resistere a tensioni a monte fino a 600 V ed è adatto per progetti con tensione bus fino a 500 V.
La scheda dimostrativa EVSTDRIVEG600DG di STMicroelectronics include un STDRIVEG600 pre-montato in un package SO-16 e un MOSFET di potenza DM2 STL33N60DM2 da 115 mΩ 600 V MDmesh in un package PowerFLAT™ 8x8 HV con sorgente Kelvin. La scheda dimostrativa presenta anche un generatore di tempo morto programmabile integrato e un regolatore di tensione lineare da 3,3 V per erogare controller logici esterni come i microcontroller.
Sono inclusi spazi liberi per consentire la personalizzazione della scheda per l'applicazione finale, come segnale di ingresso separato o singolo segnale PWM, l'uso di diodo di bootstrap esterno opzionale, l'alimentazione separata per VCC, PVCC o BOOT e l'uso di un resistore shunt a valle per le topologie in modalità corrente di picco.
Caratteristiche
- Topologia half bridge basata sul gate driver STDRIVEG600
- MOSFET di potenza STL33N60DM2 115 mΩ 600 V MDmesh DM2
- Package alta tensione PowerFLAT con sorgente Kelvin
- Regolatore lineare LDO da 3,3 V ST715M33R
- Alimentazione ad alta tensione: fino a 500 V
- Tensione di alimentazione del gate driver da 4,75 V a 6,5 V VCC, limitata dalla tensione nominale GaN VGS
- Generatore di tempo morto regolabile integrato per convertire il singolo segnale PWM in tempi morti indipendenti a monte e a valle
- Ingressi separati opzionali con tempo morto esterno
- Resistenza termica da giunzione a ambiente 25° C/W per la valutazione di grandi topologie di potenza
- Connettore ad alta frequenza per il monitoraggio del transistor di potenza GaN gate
- Shunt a valle opzionale
- PCB FR-4: 50 mm x 70 mm
- Conforme a RoHS
Documenti
Dispositivi supportati
STMicroelectronics Gate driver a mezzo ponte STDRIVEG600
Gate driver a mezzo ponte a chip singolo per GaN FET ad arricchimento o MOSFET di potenza a canale N.
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Nuova generazione di MOSFET di potenza creata utilizzando la nuova tecnologia MDmesh™: MDmesh II Plus™ a basso Qg.
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