STMicroelectronics Driver di porta a semiponte STDRIVEG610

I driver di porta a semiponte STDRIVEG610 di STMicroelectronics sono dispositivi ad alte prestazioni progettati per pilotare MOSFET a canale N o IGBT in una vasta gamma di applicazioni di conversione di potenza. Il dispositivo STDRIVEG610 di STMicroelectronics è  dotato di un controllo a ingresso singolo  e  funzionamento bootstrap, che consente una commutazione efficiente high-side e low-side con un numero minimo di componenti esterni. I dispositivi supportano fino a 600 V  sul driver high-side e includono una protezione da blocco per sottotensione (UVLO)  sia sul lato low-side che sul lato high-side per garantire un funzionamento sicuro. Con un  ritardo di propagazionetipico di50 ns e tempi di ritardo abbinati, i circuiti integrati STDRIVEG610 sono adatti per applicazioni di commutazione ad alta frequenza come  controllo del motore, alimentatori e inverter. La progettazione compatta, le robuste caratteristiche di protezione e l'ampia portata di tensione operativa rendono i driver di porta a semiponte STDRIVEG610 una scelta affidabile per i progettisti alla ricerca di soluzioni efficienti e compatte.

Caratteristiche

  • Rail ad alta tensione fino a 600 V
  • Immunità al transitorio ±200 V/ns dV/dt
  • Driver con percorso separato per sink e sorgente per un azionamento ottimale
    • Sink 2,4 A e 1,2 Ω
    • Sorgente da 1,0 A e 3,7 Ω
  • Regolatori lineari high-side e low-side per tensione di azionamento del gate a 6 V
  • Tempo di avvio ultraveloce del lato alto di 300 ns
  • Ritardo di propagazione di 45 ns, pulse di uscita minimo di 15 ns
  • Alta frequenza di commutazione (>1 MHz)
  • Diodo bootstrap integrato da 600 V
  • Supporto completo del funzionamento di commutazione rigida GaN
  • Funzione UVLO su VCC, VBO e VLS
  • Ingressi logici separati e pin di spegnimento
  • Pin di guasto per segnalazione di sovratemperatura e UVLO
  • Funzione stand-by per modalità a basso consumo
  • PGND separato per la compatibilità con la sorgente Kelvin e lo shunt di corrente
  • Input compatibile da 3,3 V a 20 V con isteresi e pull-down

Applicazioni

  • Convertitori CC/CC e risonanti (LLC, flyback con clamp attivo, totem pole, ...)
  • Topologie PFC e raddrizzatore sincrono
  • Caricabatterie e adattatori
  • Convertitori CA/CC

Specifiche

  • Portata della tensione di alimentazione logica da 9,2 V a 18 V
  • Driver a bassa tensione di terra ±3 V
  • Intervallo di tensione del pin VBOOT-OUT da 7,5 V a 20 V
  • Intervallo di tensione di uscita da -10,8 VCC a 520 VCC
  • Tensione di uscita transitoria massima 600 V
  • Intervallo di tensione degli ingressi logici da 0 V a 20 V
  • Intervallo di capacità di bypass della tensione di alimentazione del driver da 47 nF a 220 nF
  • Capacità di ingresso massima del regolatore lineare del driver high-side 3300 nF
  • Durata minima del pulse di ingresso 50 ns
  • Frequenza di commutazione 2 MHz (massima)
  • Resistenza termica
    • 85°C/W dalla giunzione all'ambiente quando montato su una scheda FR4 2s2p (4 strati) secondo JESD51-7 senza vie termiche PCB
    • 110°C/W dalla giunzione all'ambiente quando montato su una scheda FR4 1s0p (1 strato) secondo JESD51-3
  • Valori ESD
    • Modello del corpo umano da 2 kV per ANSI/ESDA/JEDEC JS-001-2017
    • Modello di dispositivo caricato a 1 kV per ANSI/ESDA/JEDEC JS-002-2018
  • Intervallo di temperatura di giunzione da -40 °C a +125 °C
  • Package QFN 4 mm x 5 mm x 1 mm

Schema applicativo tipico

Schema di circuito di applicazione - STMicroelectronics Driver di porta a semiponte STDRIVEG610

Diagramma a blocchi

Schema a blocchi - STMicroelectronics Driver di porta a semiponte STDRIVEG610

Video

Pubblicato: 2025-06-19 | Aggiornato: 2025-08-07