ROHM Semiconductor MOSFET di potenza automotive canale N RD3x
I MOSFET di potenza a canale N RD3x per applicazioni automobilistiche di ROHM Semiconductor sono dispositivi di commutazione e raddrizzamento ad alte prestazioni progettati per l'uso in un'ampia gamma di applicazioni di potenza e segnale. I componenti ROHM RD3x certificati AEC-Q101 sono caratterizzati da bassa tensione diretta, tempi di recupero rapidi ed elevata capacità di corrente di picco, rendendo i MOSFET ideali per una conversione di potenza efficiente e la protezione in sistemi elettronici compatti. Con opzioni su misura per il settore automobilistico, industriale ed elettronico di consumo, la famiglia RD3 supporta applicazioni quali convertitori CC-CC, driver per motori, illuminazione a LED e dispositivi alimentati a batteria. Il package compatto per montaggio superficiale (TO-252-3) e la bassa corrente di dispersione contribuiscono a realizzare progetti salvaspazio ed efficienti dal punto di vista energetico, mentre l'elevata affidabilità garantisce prestazioni stabili in condizioni difficili.
Caratteristiche
- Conformi alle qualifiche AEC-Q101
- Bassa tensione diretta
- Tempo di recupero rapido
- Capacità di corrente di sovraccarico elevata
- Ottimizzati per una bassa corrente di dispersione
- Alta affidabilità
- Tecnologia Si
- Canale singolo
- Modalità di arricchimento
- Package TO-252-3 a montaggio superficiale
- Conforme a RoHS
Applicazioni
- Circuiti di alimentazione
- Convertitori CC-CC
- Dispositivi alimentati a batteria
- Driver per motori
- Elettronica automotive
- Sistemi di illuminazione a LED
- Apparecchiature di comunicazione
- Dispositivi di rete
- Commutazione a uso generico
- Commutazione di carico
- Protezione da tensione inversa
- Elettronica portatile
- Moduli Internet delle cose (IoT)
Specifiche
- Intervallo della tensione di rottura drain-source da 40 V a 250 V
- Intervallo di corrente di drain continua da 5 A a 80 A
- Intervallo di resistenza drain-source da 2,3 mΩ a 300 mΩ
- Tensione gate-source ±20 V
- Intervallo di tesione di soglia gate-source da 2,5 V a 5 V
- Intervallo di carica del gate da 8nC a 82nC
- Intervallo della dissipazione di potenza da 15 W a 142 W
- Intervallo di temperatura di funzionamento da -55 °C a +150 °C/+175 °C
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