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ROHM Semiconductor MOSFET di potenza per automotive da 40 A & 80 A

I MOSFET di potenza per automotive da 40 A e 80 A di ROHM Semiconductor sono dispositivi a canale N e a canale P. Questi MOSFET certificati AEC-Q101 sono caratterizzati da bassa resistenza allo stato attivo, corrente di drain pulsata ±80 A/±160 A e dissipazione di potenza fino a 142 W. I MOSFET di potenza da 40 A e 80 A operano in un intervallo di temperatura da -55°C a 175°C e sono testati al 100% per la valanga. Questi MOSFET di potenza sono ideali per le applicazioni ADAS, per il settore automobilistico e per l'illuminazione.

Caratteristiche

  • Bassa resistenza in conduzione
  • Corrente di drain impulsiva ±80 A/±160 A
  • Dissipazione di potenza fino a 142 W
  • Intervallo di temperatura da -55 °C a 175 °C
  • Collaudati al 100% con il metodo a valanga
  • Rivestimento senza piombo
  • Conforme a RoHS

Applicazioni

  • ADAS
  • Automotive
  • Illuminazione

Schede tecniche

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Codice prodotto Scheda dati Tempo di caduta Transconduttanza diretta - Min Id - corrente di drain continua Pd - Dissipazione di potenza Qg - Carica del gate Rds On - Drain-source sulla resistenza Polarità transistor Ritardo di spegnimento tipico Tipico ritardo di accensione Vds - Tensione di rottura drain-source Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source
RD3E08BBJHRBTL RD3E08BBJHRBTL Scheda dati 180 ns 20 S 80 A 142 W 150 nC 3.7 mOhms P-Channel 220 ns 19 ns 30 V - 20 V, 5 V 2.5 V
RD3G08DBKHRBTL RD3G08DBKHRBTL Scheda dati 15 ns 12.1 S 80 A 76 W 28 nC 4.1 mOhms N-Channel 56 ns 18 ns 40 V 20 V 2.5 V
RH7G04BBJFRATCB RH7G04BBJFRATCB Scheda dati 97 ns 14 S 40 A 75 W 25 nC 11.9 mOhms P-Channel 175 ns 14 ns 40 V - 20 V, 5 V 2.5 V
AG091FLD3HRBTL AG091FLD3HRBTL Scheda dati 11 ns 12 S 80 A 76 W 22 nC 7.5 mOhms N-Channel 50 ns 18 ns 60 V 20 V 2.5 V
RD3L08DBKHRBTL RD3L08DBKHRBTL Scheda dati 11 ns 12 S 80 A 76 W 22 nC 7.5 mOhms N-Channel 50 ns 18 ns 60 V 20 V 2.5 V
Pubblicato: 2025-05-19 | Aggiornato: 2025-10-09