MOSFET di potenza per automotive da 40 A & 80 A

I MOSFET di potenza per automotive da 40 A e 80 A di ROHM Semiconductor sono dispositivi a canale N e a canale P. Questi MOSFET certificati AEC-Q101 sono caratterizzati da bassa resistenza allo stato attivo, corrente di drain pulsata ±80 A/±160 A e dissipazione di potenza fino a 142 W. I MOSFET di potenza da 40 A e 80 A operano in un intervallo di temperatura da -55°C a 175°C e sono testati al 100% per la valanga. Questi MOSFET di potenza sono ideali per le applicazioni ADAS, per il settore automobilistico e per l'illuminazione.

Risultati: 5
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Qualifica
Confezione
ROHM Semiconductor MOSFET TO252 P-CH 30V 80A
Scheda dati
2.241A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500
Si SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 30 V 80 A 3.7 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 150 nC - 55 C + 175 C 142 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET TO252 N-CH 40V 80A
Scheda dati
2.000A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500
Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 4.1 mOhms 20 V 2.5 V 28 nC - 55 C + 175 C 76 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET DFN3333 P-CH 40V 40A
Scheda dati
2.400A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 3.000
Si SMD/SMT DFN-8 P-Channel 1 Channel 40 V 40 A 11.9 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 25 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET TO252 N-CH 60V 80A
Scheda dati
1.677A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500
Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 60 V 80 A 7.5 mOhms 20 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 175 C 76 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET TO252 N-CH 60V 80A
Scheda dati
1.742A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500
Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 60 V 80 A 7.5 mOhms 20 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 175 C 76 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape