Toshiba MOSFET a canale N in silicio TPH1100CQ5
I MOSFET a canale N in silicio TPH1100CQ5 di Toshiba sono dotati di un MOSFET di potenza SMT a 8 pin progettato con il processo U-MOS HX Trench di ultima generazione. I MOSFET offrono caratteristiche di recupero inverso migliorate, tra cui un tempo di recupero inverso di 36 ns e una carica di recupero inverso tipica di 27 nC. La serie TPH1100CQ5 riduce la perdita di potenza negli alimentatori a commutazione, il che aumenta l’efficienza nelle applicazioni di raddrizzamento sincrono. I MOSFET a canale N in silicio TPH1100CQ5 di Toshiba offrono bassa resistenza drain-source in conduzione e bassa corrente nominale di dispersione, caratteristica che li rende ideali per varie applicazioni industriali e di potenza. Le applicazioni tipiche includono convertitori CC/CC ad alta efficienza, regolatori di tensione a commutazione, azionamenti di motori, data center e sistemi di comunicazione di base.
Caratteristiche
- Polarità a canale N in silicio
- Generazione U-MOS XH
- Connessione interna singola
- Package SMT a 8 pin
- Tempo di recupero inverso rapido
- Carica di recupero inverso ridotta
- Carica del gate ridotta
- Bassa resistenza in conduzione drain-source
- Bassa corrente di dispersione
- Sono disponibili modelli RoHS
Applicazioni
- Convertitori CC/CC ad alta efficienza
- Regolatori di tensione di commutazione
- Driver per motori
Specifiche
- Tensione nominale drain-source: 150 V
- Tensione nominale gate-source: ±20 V
- Corrente nominale drain: 49 A
- Dissipazione di potenza nominale: 180 W
- Tensione di soglia massima del gate: 4,5 V
- Intervallo di resistenza in conduzione drain-source: da 11,1 mΩ a 13,6 mΩ
- Capacità di ingresso tipica: 2830 pF
- Carica del gate tipica: 38 nC
Schema del circuito interno
Dimensioni (mm)
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Presenta un MOSFET di potenza SMT a 8 pin progettato con un processo Trench di generazione U-MOSX-H.
Pubblicato: 2024-07-19
| Aggiornato: 2024-09-02