MOSFET a canale N in silicio TPH1100CQ5

I MOSFET a canale N in silicio TPH1100CQ5 di Toshiba sono dotati di un MOSFET di potenza SMT a 8 pin progettato con il processo U-MOS HX Trench di ultima generazione. I MOSFET offrono caratteristiche di recupero inverso migliorate, tra cui un tempo di recupero inverso di 36 ns e una carica di recupero inverso tipica di 27 nC. La serie TPH1100CQ5 riduce la perdita di potenza negli alimentatori a commutazione, il che aumenta l’efficienza nelle applicazioni di raddrizzamento sincrono. I MOSFET a canale N in silicio TPH1100CQ5 di Toshiba offrono bassa resistenza drain-source in conduzione e bassa corrente nominale di dispersione, caratteristica che li rende ideali per varie applicazioni industriali e di potenza. Le applicazioni tipiche includono convertitori CC/CC ad alta efficienza, regolatori di tensione a commutazione, azionamenti di motori, data center e sistemi di comunicazione di base.