MOSFET a canale N in silicio TPH1400CQ5

I MOSFET a canale N in silicio TPH1400CQ5 di Toshiba presentano un MOSFET di potenza SMT a 8 pin progettati con un processo Trench di generazione U-MOSX-H. I MOSFET offrono migliori caratteristiche di recupero inverso, compreso un rapido tempo di recupero inverso 36 ns e una carica di recupero inverso tipica di 27 nC. La serie TPH1400CQ5 riduce la perdita di potenza negli alimentatori a commutazione, il che aumenta l’efficienza nelle applicazioni di raddrizzamento sincrono. I MOSFET a canale N in silicio TPH1400CQ5 di Toshiba offrono bassa resistenza in conduzione drain-source e bassa corrente nominale di dispersione, caratteristica che li rende ideali per varie applicazioni industriali e di potenza. Le applicazioni tipiche includono convertitori CC/CC ad alta efficienza, regolatori di tensione a commutazione, driver di motori, data center e sistemi di base di comunicazione.