Toshiba MOSFET a canale N in silicio TPH1400CQ5

I MOSFET a canale N in silicio TPH1400CQ5 di Toshiba presentano un MOSFET di potenza SMT a 8 pin progettati con un processo Trench di generazione U-MOSX-H. I MOSFET offrono migliori caratteristiche di recupero inverso, compreso un rapido tempo di recupero inverso 36 ns e una carica di recupero inverso tipica di 27 nC. La serie TPH1400CQ5 riduce la perdita di potenza negli alimentatori a commutazione, il che aumenta l’efficienza nelle applicazioni di raddrizzamento sincrono. I MOSFET a canale N in silicio TPH1400CQ5 di Toshiba offrono bassa resistenza in conduzione drain-source e bassa corrente nominale di dispersione, caratteristica che li rende ideali per varie applicazioni industriali e di potenza. Le applicazioni tipiche includono convertitori CC/CC ad alta efficienza, regolatori di tensione a commutazione, driver di motori, data center e sistemi di base di comunicazione.

Caratteristiche

  • polarità a canale n in silicio
  • Generazione U-MOS XH
  • Connessione interna singola
  • Package SMT a 8 pin
  • Tempo di recupero inverso rapido
  • Carica di recupero inverso ridotta
  • Carica del gate ridotta
  • Bassa resistenza in conduzione drain-source
  • Bassa corrente di dispersione
  • Sono disponibili modelli RoHS

Applicazioni

  • Convertitori CC/CC ad alta efficienza
  • Regolatori di tensione di commutazione
  • Driver per motori

Specifiche

  • Tensione nominale drain-source: 150 V
  • Tensione nominale gate-source ±20 V
  • Corrente nominale drain 77 A
  • Dissipazione di potenza nominale 170 W
  • Tensione massima di soglia del gate 4,5 V
  • Intervallo di resistenza in conduzione drain-source da 14,1 mΩ a 17,3 mΩ
  • Capacità di ingresso massima 3800 pF
  • Carica del gate tipica 8,5 nC

Schema del circuito interno

Grafico - Toshiba MOSFET a canale N in silicio TPH1400CQ5

Dimensioni (mm)

Grafico - Toshiba MOSFET a canale N in silicio TPH1400CQ5
Pubblicato: 2024-07-19 | Aggiornato: 2024-09-10