Toshiba MOSFET a canale N in silicio TPH1400CQ5
I MOSFET a canale N in silicio TPH1400CQ5 di Toshiba presentano un MOSFET di potenza SMT a 8 pin progettati con un processo Trench di generazione U-MOSX-H. I MOSFET offrono migliori caratteristiche di recupero inverso, compreso un rapido tempo di recupero inverso 36 ns e una carica di recupero inverso tipica di 27 nC. La serie TPH1400CQ5 riduce la perdita di potenza negli alimentatori a commutazione, il che aumenta l’efficienza nelle applicazioni di raddrizzamento sincrono. I MOSFET a canale N in silicio TPH1400CQ5 di Toshiba offrono bassa resistenza in conduzione drain-source e bassa corrente nominale di dispersione, caratteristica che li rende ideali per varie applicazioni industriali e di potenza. Le applicazioni tipiche includono convertitori CC/CC ad alta efficienza, regolatori di tensione a commutazione, driver di motori, data center e sistemi di base di comunicazione.Caratteristiche
- polarità a canale n in silicio
- Generazione U-MOS XH
- Connessione interna singola
- Package SMT a 8 pin
- Tempo di recupero inverso rapido
- Carica di recupero inverso ridotta
- Carica del gate ridotta
- Bassa resistenza in conduzione drain-source
- Bassa corrente di dispersione
- Sono disponibili modelli RoHS
Applicazioni
- Convertitori CC/CC ad alta efficienza
- Regolatori di tensione di commutazione
- Driver per motori
Specifiche
- Tensione nominale drain-source: 150 V
- Tensione nominale gate-source ±20 V
- Corrente nominale drain 77 A
- Dissipazione di potenza nominale 170 W
- Tensione massima di soglia del gate 4,5 V
- Intervallo di resistenza in conduzione drain-source da 14,1 mΩ a 17,3 mΩ
- Capacità di ingresso massima 3800 pF
- Carica del gate tipica 8,5 nC
Schema del circuito interno
Dimensioni (mm)
Pubblicato: 2024-07-19
| Aggiornato: 2024-09-10
