STMicroelectronics MOSFET di potenza STripFET™

Questi MOSFET di potenza STripFET™ ad arricchimento traggono vantaggio dall'aggiunta di una nuova struttura del gate alla tecnologia brevettata STripFET™ di STMicroelectronics. Il MOSFET di potenza STripFET™ risultante presenta la corrente elevata e la bassa RDS(on) richieste dalle applicazioni di switch dei settori automobilistici e industriali, come il controllo motori, UPS, i convertitori CC/CC, i vaporizzatori riscaldatori a induzione e i pannelli solari. I MOSFET di potenza STMicroelectronics STripFET™ hanno una bassissima carica del gate di commutazione, robustezza elevata, basse perdite di potenza del gate drive e alta densità di potenza. Questi MOSFET di potenza STripFET™ offrono i valori di RDS(on) 30 V - 150 V fra i più bassi del mercato.

Caratteristiche

  • Enhancement-mode MOSFETs
  • Exhibits high current and low RDS(on)
  • Low switching gate charge and high avalanche ruggedness

Applicazioni

  • Motor control
  • UPS
  • DC/DC converters
  • Induction heater vaporizers
  • Solar
Pubblicato: 2012-02-15 | Aggiornato: 2025-08-18