STL120N10F8

STMicroelectronics
511-STL120N10F8
STL120N10F8

Produttore:

Descrizione:
MOSFET N-Channel Enhancement Mode Standard Level 100V, 4.6mohm max, 125A STripFET F8

Modello ECAD:
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
STMicroelectronics
Categoria prodotto: MOSFET
RoHS::  
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
1 Channel
100 V
125 A
4.6 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
56 nC
- 55 C
+ 175 C
150 W
Enhancement
STripFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marchio: STMicroelectronics
Tempo di caduta: 17 ns
Tipo di prodotto: MOSFETs
Tempo di salita: 16 ns
Serie: STripFET F8
Quantità colli di fabbrica: 3000
Sottocategoria: Transistors
Tipo di transistor: 1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico: 41 ns
Tipico ritardo di accensione: 17 ns
Peso unità: 76 mg
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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MOSFET di potenza a canale N STripFET F8

I MOSFET di potenza a canale N STripFET F8 di STMicroelectronics sono qualificati AEC-Q101 e offrono una soluzione completa di package da 30 V a 150 V per soddisfare tutti i requisiti delle soluzioni ad altissima densità di potenza. Questi MOSFET a bassa tensione sono dotati della tecnologia STPOWER STripFET F8. La tecnologia STripFET F8 consente di risparmiare energia e garantisce un basso rumore nella conversione di potenza, nel controllo del motore e nei circuiti di distribuzione dell'energia, riducendo sia la resistenza di on che le perdite di commutazione, ottimizzando al contempo le proprietà del diodo di corpo. I MOSFET di potenza a canale N STripFET F8 di STMicroelectronics semplificano la progettazione dei sistemi e aumentano l'efficienza in applicazioni quali automotive, computer/periferiche, data center, telecomunicazioni, energia solare, alimentatori/convertitori, caricabatterie, elettrodomestici/apparecchiature professionali, gaming, droni e altro ancora. 

MOSFET STripFET a canale N da 100 V STL120N10F8

Il MOSFET STripFET a canale N in modalità migliorata STL120N10F8 STMicroelectronics utilizza la tecnologia STripFET F8 di ST con una struttura gate trench migliorata. Garantisce una resistenza in stato attivo molto bassa, riducendo al contempo la capacità interna e la carica del gate per una switching più rapida ed efficiente. L'STL120N10F8 STMicroelectronics è ideale per applicazioni di commutazione.