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STL120N10F8

Name: STMicroelectronics STL120N10F8
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL120N10F8
Price: 2.38 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

511-STL120N10F8

N. produttore:

STL120N10F8

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

MOSFET N-Channel Enhancement Mode Standard Level 100V, 4.6mohm max, 125A STripFET F8

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Scheda dati:

STL120N10F8 Scheda dati (PDF)

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Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	2,38 €	2,38 €
	1,54 €	15,40 €
	1,06 €	106,00 €
	0,846 €	423,00 €
	0,789 €	789,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 3000)
	0,746 €	2.238,00 €

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	PowerFLAT-5x6-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	100 V
Id - corrente di drain continua:	125 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	4.6 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2 V
Qg - Carica del gate:	56 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	150 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	STripFET
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	STMicroelectronics
Tempo di caduta:	17 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	16 ns
Serie:	STripFET F8
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	41 ns
Tipico ritardo di accensione:	17 ns
Peso unità:	76 mg

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AUTOMOTIVE STripFET F8 DEVICES: For high-power-density solutions (PDF)

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Codici di conformità

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classificazioni di origine

Paese di origine:: Singapore
Paese di origine dell'assemblaggio:: Non disponibile
Paese di diffusione:: Non disponibile

Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

MOSFET di potenza a canale N STripFET F8

I MOSFET di potenza a canale N STripFET F8 di STMicroelectronics sono qualificati AEC-Q101 e offrono una soluzione completa di package da 30 V a 150 V per soddisfare tutti i requisiti delle soluzioni ad altissima densità di potenza. Questi MOSFET a bassa tensione sono dotati della tecnologia STPOWER STripFET F8. La tecnologia STripFET F8 consente di risparmiare energia e garantisce un basso rumore nella conversione di potenza, nel controllo del motore e nei circuiti di distribuzione dell'energia, riducendo sia la resistenza di on che le perdite di commutazione, ottimizzando al contempo le proprietà del diodo di corpo. I MOSFET di potenza a canale N STripFET F8 di STMicroelectronics semplificano la progettazione dei sistemi e aumentano l'efficienza in applicazioni quali automotive, computer/periferiche, data center, telecomunicazioni, energia solare, alimentatori/convertitori, caricabatterie, elettrodomestici/apparecchiature professionali, gaming, droni e altro ancora.

MOSFET STripFET a canale N da 100 V STL120N10F8

Il MOSFET STripFET a canale N in modalità migliorata STL120N10F8 STMicroelectronics utilizza la tecnologia STripFET F8 di ST con una struttura gate trench migliorata. Garantisce una resistenza in stato attivo molto bassa, riducendo al contempo la capacità interna e la carica del gate per una switching più rapida ed efficiente. L'STL120N10F8 STMicroelectronics è ideale per applicazioni di commutazione.