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STD25NF20

Name: STMicroelectronics STD25NF20
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STD25NF20
Price: 1.68 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

511-STD25NF20

N. produttore:

STD25NF20

Produttore:

STMicroelectronics

Descrizione:

MOSFET N-Ch 200V 0.10Ohm 18 A StripFET FET

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Scheda dati:

STD25NF20 Scheda dati (PDF)

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Prezzo esteso:

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Confezione:

Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)

Nastro continuo

MouseReel™ (+5,00 €)

Prezzi (EUR)

Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
Nastro tagliato / MouseReel™ ^†
	1,68 €	1,68 €
	1,07 €	10,70 €
	0,721 €	72,10 €
	0,572 €	286,00 €
	0,524 €	524,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2500)
	0,504 €	1.260,00 €
25.000	Offerta

† La commissione 5,00 € MouseReel™ verrà aggiunta e calcolata nel carrello. Nessuno degli ordini di articoli MouseReel™ può essere annullato o reso. ↩

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	STMicroelectronics
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	200 V
Id - corrente di drain continua:	18 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	125 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2 V
Qg - Carica del gate:	28 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	110 W
Modalità canale:	Enhancement
Qualifica:	AEC-Q101
Nome commerciale:	STripFET
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Confezione:	MouseReel
Marchio:	STMicroelectronics
Configurazione:	Single
Paese di assemblaggio:	SG
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	SG
Tempo di caduta:	10 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	30 ns
Serie:	STD25NF20
Quantità colli di fabbrica:	2500
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel Power MOSFET
Ritardo di spegnimento tipico:	40 ns
Tipico ritardo di accensione:	15 ns
Peso unità:	330 mg

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Scheda dati

STD25NF20 Scheda dati (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza STripFET™

Questi MOSFET di potenza STripFET™ ad arricchimento traggono vantaggio dall'aggiunta di una nuova struttura del gate alla tecnologia brevettata STripFET™ di STMicroelectronics. Il MOSFET di potenza STripFET™ risultante presenta la corrente elevata e la bassa R_DS(on) richieste dalle applicazioni di switch dei settori automobilistici e industriali, come il controllo motori, UPS, i convertitori CC/CC, i vaporizzatori riscaldatori a induzione e i pannelli solari. I MOSFET di potenza STMicroelectronics STripFET™ hanno una bassissima carica del gate di commutazione, robustezza elevata, basse perdite di potenza del gate drive e alta densità di potenza. Questi MOSFET di potenza STripFET™ offrono i valori di R_DS(on) 30 V - 150 V fra i più bassi del mercato.
Maggiori informazioni

STripFET I™ Power MOSFETs

STMicroelectronics STripFET I™ Power MOSFETs are enhancement mode Power MOSFETs that benefit from the "single feature size" strip-based process. This decreases the critical alignment steps to offer exceptional manufacturing reproducibility. The result is a transistor with extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics, and low gate charge. This makes these devices ideal for switching automotive applications.