STD25NF20

STMicroelectronics
511-STD25NF20
STD25NF20

Produttore:

Descrizione:
MOSFET N-Ch 200V 0.10Ohm 18 A StripFET FET

Modello ECAD:
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0,468 € 4.680,00 €
0,452 € 11.300,00 €
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
STMicroelectronics
Categoria prodotto: MOSFET
RoHS::  
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
200 V
18 A
125 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
28 nC
- 55 C
+ 175 C
110 W
Enhancement
AEC-Q101
STripFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marchio: STMicroelectronics
Configurazione: Single
Tempo di caduta: 10 ns
Tipo di prodotto: MOSFETs
Tempo di salita: 30 ns
Serie: STD25NF20
Quantità colli di fabbrica: 2500
Sottocategoria: Transistors
Tipo di transistor: 1 N-Channel Power MOSFET
Ritardo di spegnimento tipico: 40 ns
Tipico ritardo di accensione: 15 ns
Peso unità: 330 mg
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Attributi selezionati: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

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Questi MOSFET di potenza STripFET™ ad arricchimento traggono vantaggio dall'aggiunta di una nuova struttura del gate alla tecnologia brevettata STripFET™ di STMicroelectronics. Il MOSFET di potenza STripFET™ risultante presenta la corrente elevata e la bassa RDS(on) richieste dalle applicazioni di switch dei settori automobilistici e industriali, come il controllo motori, UPS, i convertitori CC/CC, i vaporizzatori riscaldatori a induzione e i pannelli solari. I MOSFET di potenza STMicroelectronics STripFET™ hanno una bassissima carica del gate di commutazione, robustezza elevata, basse perdite di potenza del gate drive e alta densità di potenza. Questi MOSFET di potenza STripFET™ offrono i valori di RDS(on) 30 V - 150 V fra i più bassi del mercato.
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