STMicroelectronics MOSFET di potenza a canale N STripFET F8

I MOSFET di potenza a canale N STripFET F8 di STMicroelectronics sono qualificati AEC-Q101 e offrono una soluzione completa di package da 30 V a 150 V per soddisfare tutti i requisiti delle soluzioni ad altissima densità di potenza. Questi MOSFET a bassa tensione sono dotati della tecnologia STPOWER STripFET F8. La tecnologia STripFET F8 consente di risparmiare energia e garantisce un basso rumore nella conversione di potenza, nel controllo del motore e nei circuiti di distribuzione dell'energia, riducendo sia la resistenza di on che le perdite di commutazione, ottimizzando al contempo le proprietà del diodo di corpo. I MOSFET di potenza a canale N STripFET F8 di STMicroelectronics semplificano la progettazione dei sistemi e aumentano l'efficienza in applicazioni quali automotive, computer/periferiche, data center, telecomunicazioni, energia solare, alimentatori/convertitori, caricabatterie, elettrodomestici/apparecchiature professionali, gaming, droni e altro ancora. 

Caratteristiche

  • Qualificati AEC-Q101 (parti che terminano in AG)
  • Perdite di conduzione molto basse con efficienza aumentata e progetti più compatti
  • La morbidezza del diodo del corpo e la bassa carica del gate-drain garantiscono un eccellente comportamento di commutazione
  • Tensione di soglia di gate più ristretta per facilitare le connessioni in parallelo
  • Basse emissioni EMI
  • Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1
  • Intervallo delle temperature di funzionamento: da -55 °C a +175 °C
  • Collaudati al 100% con il metodo a valanga
  • Flangia bagnabile, package PowerFLAT da 5 mm x 6 mm
  • Tecnologia sostenibile

Applicazioni

  • STL160N10F8
    • Alimentazione per telecomunicazioni e server
    • Sistema di gestione delle batterie industriali (BMS)
    • Utensili elettrici
    • Droni
  • STL170N4LF8 e STL300N4LF8
    • Strumenti industriali, azionamenti di motori e attrezzature
    • Controllo di motori industriali
    • Alimentatori e convertitori
  • STL175N4LF8AG, STL305N4LF8AG, STL165N4F8AG e STK615N4F8AG
    • Controllo motori per automotive
    • Comodità e facilità d'uso
    • Telaio e sicurezza
    • Gruppo propulsore per ICE
  • Applicazioni di commutazione per STL120N10F8, STL320N4LF8, STL325N4LF8AG e STL325N4LF8AG

Specifiche

  • Opzioni di tensione massima drain-source 40 V o 100 V
  • Opzioni di tensione massima gate-source: ±16 V o ±20 V
  • Intervallo di corrente di drain massima da 304 A a 1.492 A
  • Intervallo di dissipazione di potenza totale: da 111W a 188W
  • Valanga a impulso singolo
    • Corrente 60 A
    • Intervallo di energia da 140 mJ a 590 mJ
  • Resistenza
    • Intervallo di capacità di ingresso: da 2600pF a 7657pF
    • Intervallo di capacità di uscita da 680 pF a 1968pf
  • Stati di accensione/spegnimento
    • Intervallo di corrente di drain di tensione di gate zero: da 1µA a 100µA
    • Corrente di dispersione gate-body: 100 nA
    • Intervallo di tensione massima del gate da 1,2 V a 4 V
    • Resistenza statica massima drain-source 0,75 mΩ a 4,6 mΩ

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Codice prodotto Scheda dati Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Pd - Dissipazione di potenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate
STL325N4LF8AG STL325N4LF8AG Scheda dati
STL320N4LF8 STL320N4LF8 Scheda dati 40 V 360 A 800 uOhms 188 W - 20 V, 20 V 2 V 43 nC
STK615N4F8AG STK615N4F8AG Scheda dati
STL165N4F8AG STL165N4F8AG Scheda dati 40 V 154 A 2.6 mOhms 111 W - 20 V, 20 V 4 V 28 nC
STL300N4F8 STL300N4F8 Scheda dati 290 A 1.1 mOhms
STL165N10F8AG STL165N10F8AG Scheda dati 100 V 158 A 3.2 mOhms 167 W - 20 V, 20 V 4 V 90 nC
STL120N10F8 STL120N10F8 Scheda dati 100 V 125 A 4.6 mOhms 150 W - 20 V, 20 V 2 V 56 nC
STL160N10F8 STL160N10F8 Scheda dati 100 V 158 A 3.2 mOhms 167 W - 20 V, 20 V 4 V 90 nC
STL300N4LF8 STL300N4LF8 Scheda dati 40 V 304 A 1 mOhms 167 W - 20 V, 20 V 2 V 70 nC
STL325N4F8AG STL325N4F8AG Scheda dati 40 V 373 A 1.1 mOhms 188 W - 16 V, 16 V 2 V 95 nC
Pubblicato: 2024-05-21 | Aggiornato: 2026-01-21