STL325N4LF8AG

STMicroelectronics
511-STL325N4LF8AG
STL325N4LF8AG

Produttore:

Descrizione:
MOSFET Automotive-grade N-channel 40 V Logic Level, 0.55 mOhm STripFET F8 Power MOSFET

Modello ECAD:
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
STMicroelectronics
Categoria prodotto: MOSFET
RoHS::  
Si
N-Channel
AEC-Q101
STripFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marchio: STMicroelectronics
Tipo di prodotto: MOSFETs
Serie: STripFET F8
Quantità colli di fabbrica: 3000
Sottocategoria: Transistors
Peso unità: 76 mg
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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MOSFET di potenza a canale N STripFET F8

I MOSFET di potenza a canale N STripFET F8 di STMicroelectronics sono qualificati AEC-Q101 e offrono una soluzione completa di package da 30 V a 150 V per soddisfare tutti i requisiti delle soluzioni ad altissima densità di potenza. Questi MOSFET a bassa tensione sono dotati della tecnologia STPOWER STripFET F8. La tecnologia STripFET F8 consente di risparmiare energia e garantisce un basso rumore nella conversione di potenza, nel controllo del motore e nei circuiti di distribuzione dell'energia, riducendo sia la resistenza di on che le perdite di commutazione, ottimizzando al contempo le proprietà del diodo di corpo. I MOSFET di potenza a canale N STripFET F8 di STMicroelectronics semplificano la progettazione dei sistemi e aumentano l'efficienza in applicazioni quali automotive, computer/periferiche, data center, telecomunicazioni, energia solare, alimentatori/convertitori, caricabatterie, elettrodomestici/apparecchiature professionali, gaming, droni e altro ancora. 

MOSFET di potenza a canale N STL325N4LF8AG

Il MOSFET di potenza a canale N STL325N4LF8AG di STMicroelectronics utilizza la tecnologia STripFET F8 e presenta una struttura del gate trench migliorata. L'STL325N4LF8AG garantisce una resistenza in stato attivo molto bassa. Il dispositivo riduce inoltre le capacità interne e le cariche del gate per una commutazione più rapida ed efficiente.