Novità Transistori RF
Ampleon BLF981/BLF981S Laterally Diffused Metal-Oxide-Semiconductor (LDMOS) Power Transistors are 170W devices designed for high-efficiency broadband applications across a wide frequency range from HF to 1400MHz. These transistors are particularly well-suited for use in broadcast transmitters, industrial, scientific, medical (ISM), avionics, and other non-cellular communication systems. Built to withstand extreme operating conditions, the Ampleon BLF981/BLF981S offers excellent ruggedness, high power gain, and integrated dual-sided ESD protection. The devices are optimized for both analog and digital signal transmission, ensuring reliable performance and easy power control. The BLF981 is housed in a SOT467C package, while the BLF981S comes in a SOT467B package, both supporting robust thermal management and long-term reliability.
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Ampleon BLF981/BLF981S LDMOS Power TransistorsDesigned for high-efficiency broadband applications across a frequency range from HF to 1400MHz.15/05/2025
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Ampleon BLP981 LDMOS Power Transistor170W power transistor engineered for broadband applications spanning from HF up to 1400MHz.15/05/2025 -
Mini-Circuits TAV1 TransistorsDesigned with highly repeatable D-pHEMT and E-pHEMT technology in a small 1.4mm x 1.2mm package.01/12/2023 -
CEL Low Noise FETs & ICsDeliver exceptional noise performance even beyond 20GHz with high associated gains.09/07/2023 -
Nexperia Prodotti in package a montaggio superficiale SOT23Contenuto in un package in plastica, a montaggio superficiale, a tre terminali, con passo da 1,9 mm, 2,9 mm x 1,3 mm x 1 mm.26/07/2022 -
Nexperia Prodotti integrati a montaggio superficiale SOT323Un package a montaggio superficiale con 3 conduttori in plastica, passo di 1,3 mm, 2 mm x 1,25 mm x 0,95 mm.26/07/2022 -
Qorvo pHEMT GaAs discreto da 1600 µm QPD2160DFornisce 32,5 dBm di potenza di uscita a P1dB, guadagno di 10,4 dB e aggiunta di potenza del 63% a 1 dB.19/04/2022 -
Qorvo pHEMT GaAs discreto da 1200 µm QPD2060DFornisce 31 dBm di potenza di uscita a P1dB, guadagno di 11,5 dB ed efficienza aggiunta di potenza del 57% a 1 dB.19/04/2022 -
Qorvo pHEMT GaAs discreto da 800 µm QPD2060DFornisce 29,5 dBm di potenza di uscita a P1dB, guadagno di 11,5 dB e aggiunta di potenza del 56% a 1 dB.19/04/2022 -
Qorvo pHEMT GaAs discreto da 600 µm QPD2060DFornisce 28 dBm di potenza di uscita a P1dB, 12 dB di guadagno e aggiunta di potenza del 55% a 1 dB.19/04/2022 -
Qorvo Filiera pHEMT GaAs discreta da 400 um QPD2040DProgettata utilizzando il collaudato processo di produzione pHEMT di potenza standard da 0,25 um di Qorvo.14/02/2022 -
Qorvo Filiera pHEMT GaAs discreta da 180 um QPD2018DUtilizza il collaudato processo di produzione pHEMT di potenza standard da 0,25 um di Qorvo.14/02/2022 -
Qorvo Filiera pHEMT GaAs discreta da 250 um QPD2025DSviluppata utilizzando il collaudato processo di produzione pHEMT di potenza standard da 0,25 um di Qorvo.14/02/2022