IXYS
IXYS Corporation è un fornitore globale di semiconduttori per la gestione dell'energia con una gamma completa di MOSFET di potenza, IGBT, CI bipolari e a segnale misto che assicurano maggiore efficienza e minori costi energetici in un'ampia gamma di applicazioni per sistemi di alimentazione.
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IXYS Raddrizzatori a diodo singolo DMA80I1600HAPresenta chip passivati planari, bassa corrente di dispersione e bassa caduta di tensione diretta.11/08/2022 -
IXYS SCR doppi sensibili da 1,5 A STS802U2SRPDv/dt statico elevato con un tempo di spegnimento (tq) basso e corrente in stato attivo di 1,5 ARMS.10/08/2022 -
IXYS SCR doppi sensibili da 1,5 A STS802U2SRPOffrono un dv/dt statico elevato con un tempo di spegnimento (tq) basso e una capacità di sovratensione fino a 20 A.10/08/2022 -
IXYS Modulo raddrizzatore ad alta tensione MDNA700P2200CCMigliore ciclo di temperatura e potenza, package ComPack con DCB ceramico, schema standard del settore.01/08/2022 -
IXYS CI di gate driver lato alto e lato bassoI CI offrono capacità di corrente di uscita dissipatore/sorgente da 600 mA/290 mA a 4,5 A/4,5 A.23/02/2022 -
IXYS MOSFET di potenza Ultra-Junction IX4MOSFET ad arricchimento a canale N collaudati per effetto valanga con tensione di rottura drain-source di 200 V.14/01/2022 -
IXYS Gate driver a mezzo ponte LF2103NDispositivo ad alta tensione in grado di pilotare MOSFET e IGBT a canale N in una configurazione a mezzo ponte.15/11/2021 -
IXYS Gate driver per MOSFET e IGBT a canale NInclude gate driver ad alta velocità e ad alta tensione & CI di gate drive trifase, funzionamento fino a 600 V.15/11/2021 -
IXYS MOSFET di potenza HiPerFET™ di classe X3 IXFxN60XForniscono la migliore cifra di merito, bassa conduzione e perdite di commutazione del settore21/10/2021 -
IXYS MOSFET di potenza HiPerFET™ di classe X3Modalità ad arricchimento a canale N, MOSFET collaudati per l'effetto valanga.19/10/2021 -
IXYS IGBT di tipo trench GenX5™ XPT™IGBT di tipo trench di 5a generazione con aree operative sicure da polarizzazione inversa quadrata e tensione di rottura di 650 V.28/09/2021 -
IXYS MOSFET SiC a canale N LSIC1MO170E0750MOSFET a canale N da 750 mΩ ottimizzato per applicazioni ad alta tensione, alta frequenza ed alta efficienza.27/09/2021 -
IXYS SCR sensibili da 1,25 A Teccor® Sx02CSxForniscono eccellenti interruttori unidirezionali per applicazioni di controllo di fase.16/09/2021 -
IXYS SCR sensibili da 1,5 A serie EV S802xSxGli SCR forniscono un dv/dt statico elevato con un tempo di spegnimento (tq) basso.16/09/2021 -
IXYS MOSFET SiC a canale N LSIC1MO120G0xTensione nominale drain-source di 1200 V, intervallo di resistenza da 25 mΩ a 160 mΩ e correnti da 14 A a 70 A.28/07/2021 -
IXYS MOSFET SiC a canale N LSIC1MO170T0750MOSFET SiC da 1700 V con una carica del gate di 11 NC, resistenza del gate di 29 Ω e resistenza in conduzione di 750 mΩ.23/06/2021 -
IXYS Moduli tiristori MCMA65P1800TA e MCMA110P1800TATiristori a gamba bifase per la frequenza di linea in un package TO-240AA conforme alle norme industriali.09/06/2021 -
IXYS MOSFET di potenza Ultra-Junction X4 da 200 V IXTDispositivi a canale N con tensione drain-source massima di 10,6 mΩ, 13 mΩ o 21 mΩ RDS(on) e 200 V.28/04/2021 -
IXYS MOSFET di potenza di classe X2 IXTQ34N65X2M e IXTQ48N65X2MPresentano una tensione di rottura drain-source di 650 V e una corrente di drain continua di 34 A o 48 A.15/04/2021 -
IXYS IGBT ad alta tensione IXGA20N250HVRBSOA quadrato, capacità di cortocircuito 10 µs, e presenta 2500 V V VCES, 12 A IC110 e 3,1 VCE(sat).02/03/2021 -
IXYS Modulo raddrizzatore standard MDMA120U1600VAUn ponte a tre raddrizzatori da 1600 V in un package V1-A-Pack con temperatura e ciclo di potenza migliorati.02/03/2021 -
IXYS Tiristori ad alta efficienza CLA100E1200TZForniscono stabilità a lungo termine e presentano una tensione inversa ripetitiva di 1200 V e una corrente diretta di 100 A.12/02/2021 -
IXYS IGBT BiMOSFET™ a conduzione inversa IXBx14N300HVDispositivi da 3000 V, 14 A che combinano i punti di forza dei MOSFET e degli IGBT.08/01/2021 -
IXYS IGBT Trench GenX4™ 1.200 V IXYx110N120A4Offre un Vsat ultrabasso progettato per commutare fino a 5 kHz.04/01/2021 -
IXYS Relè allo stato solido CPC1561BRelè allo stato solido con funzionalità di esclusione termica e limite di corrente integrate.23/10/2020