Novità DRAM
I Compute Express Link™ (CXL) DRAM da 128GB/256GB commerciali di Micron sono interfacce di interconnessione ad alta velocità standard del settore per le comunicazioni tra processori, acceleratori, memoria, archiviazione e altri dispositivi IO. Questi dispositivi sono espansioni flessibili della capacità di memoria per carichi di lavoro ad alta intensità di dati. L'espansione della capacità di memoria CXL DRAM ottimizza costi e prestazioni, bilanciando in modo intelligente le risorse di calcolo e di memoria. I CXL da 128GB/256GB forniscono l'architettura necessaria per bilanciare il problema del “muro di memoria”. L'architettura aiuta a ottenere soluzioni di memoria economicamente vantaggiose attraverso l'espansione della memoria, cosa che influisce sul tasso di crescita dei bit DRAM. I CXL DRAM da 128GB/256GB supportano l'espansione della memoria per i nodi di calcolo, colmando il divario per le applicazioni ad alta intensità di dati che richiedono ampia larghezza di banda, capacità e bassa latenza.
-
Micron (CXL) Compute Express Links™ DRAM 128GB/256GBInterfaccia di interconnessione ad alta velocità standard del settore per le comunicazioni tra dispositivi IO.13/11/2024
-
Kingston Auto Temp eMMCDesigned to meet the extended automotive operating temperature range of -40°C to 105°C.24/07/2024 -
Kingston Auto Temp DDR3L SDRAMDesigned to meet the extended automotive operating temperature range of -40°C to 105°C.24/07/2024 -
Zentel A3F4GH40DBF-WC 4Gb DDR4 SDRAMFeatures 3200Mbps data rate, bi-directional differential data strobe, and Data Mask to write data.02/07/2024 -
Alliance Memory MT46H Automotive LPDDR SDRAMFeatures auto-refresh and self-refresh modes and bidirectional data strobe per byte of data (DQS).02/02/2024 -
Apacer Technology Inc. Moduli per memorie integrati DDR5-5600Utilizzano CI DRAM originali di alta qualità e presentano velocità di trasferimento di memoria fino a 5600 Mbps.19/01/2024 -
Kingston LPDDR4 DRAM DevicesFeature low power consumption and auto precharge option for each burst access.01/12/2023 -
Kingston DDR4 DRAMsDRAMs feature a high-speed option with low power consumption.05/01/2023 -
SMARTsemi DDR4 Memory ICsFeature a power supply (JEDEC standard 1.2V) of VDD = 1.2V ± 5%, and VPP = 2.375V to 2.75V.31/10/2022 -
SMARTsemi DDR3 Memory ICsFeature a double data rate architecture to achieve high-speed operation.31/10/2022 -
AP Memory APSx Double-Data-Rate Octal SPI PSRAMsFeature a 1.62VDD to 1.98VDD single supply voltage range and clock rate up to 200MHz.04/10/2022 -
Winbond W9825G6KB 166MHz High-Speed SDRAMOrganized as 4M words x 4 banks x 16 bits.02/08/2022 -
Winbond W9864G6KT 166MHz High-Speed SDRAMOrganized as 1M words x 4 banks x 16 bits.13/07/2022 -
Winbond W9812G6KB 166/200MHz High-Speed SDRAMOrganized as 2M words x 4 banks x 16 bits.13/07/2022 -
AP Memory Quad SPI (QSPI) PSRAM SDRs in USON8 PackageDelivers IoT RAM ranging from 16M to 64M densities with 2M x8 or 8M x8 organization, up to 72MB/s.28/04/2022 -
AP Memory Octal SPI (OPI & HPI) PSRAM DDRs in BGA24 PackageFeatures 64Mb up to 512M densities with x8 or x16 organization, low pin count, up to 800MB/s.28/04/2022 -
Winbond W66BP6NB/W66CP2NQ SDRAM LPDDR4Offers an SDP or DDP and a 2 or 4 clocks architecture on the Command/Address bus.09/03/2022