Novità Transistor RF JFET
CEL Low Noise FETs and ICs exhibit low noise figures and high associated gains, delivering exceptional noise figure performance at frequencies past 20GHz. These products are available in both ceramic and plastic packages that uphold the renowned Japanese manufacturing quality and reliability. The low-noise FETs and amplifier ICs offer better RF performance than other pHEMTs. Target markets for the devices include Digital Broadcast Systems (DBS), Low Noise Block (LNB) downconverters, and Very Small Aperture Terminal Satellite (VSAT) communication systems. Other typical applications include microwave communication systems, motion detectors, traffic monitoring, collision avoidance, and presence detections.
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CEL Low Noise FETs & ICsDeliver exceptional noise performance even beyond 20GHz with high associated gains.09/07/2023
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Qorvo pHEMT GaAs discreto da 1600 µm QPD2160DFornisce 32,5 dBm di potenza di uscita a P1dB, guadagno di 10,4 dB e aggiunta di potenza del 63% a 1 dB.19/04/2022 -
Qorvo pHEMT GaAs discreto da 1200 µm QPD2060DFornisce 31 dBm di potenza di uscita a P1dB, guadagno di 11,5 dB ed efficienza aggiunta di potenza del 57% a 1 dB.19/04/2022 -
Qorvo pHEMT GaAs discreto da 800 µm QPD2060DFornisce 29,5 dBm di potenza di uscita a P1dB, guadagno di 11,5 dB e aggiunta di potenza del 56% a 1 dB.19/04/2022 -
Qorvo pHEMT GaAs discreto da 600 µm QPD2060DFornisce 28 dBm di potenza di uscita a P1dB, 12 dB di guadagno e aggiunta di potenza del 55% a 1 dB.19/04/2022 -
Qorvo Filiera pHEMT GaAs discreta da 400 um QPD2040DProgettata utilizzando il collaudato processo di produzione pHEMT di potenza standard da 0,25 um di Qorvo.14/02/2022 -
Qorvo Filiera pHEMT GaAs discreta da 180 um QPD2018DUtilizza il collaudato processo di produzione pHEMT di potenza standard da 0,25 um di Qorvo.14/02/2022 -
Qorvo Filiera pHEMT GaAs discreta da 250 um QPD2025DSviluppata utilizzando il collaudato processo di produzione pHEMT di potenza standard da 0,25 um di Qorvo.14/02/2022