onsemi MOSFET in carburo di silicio (SIC) NTBG028N170M1 da 1700 V
I MOSFET in carburo di silicio (SIC) 1700 V NTBG028N170M1 di onsemi sono ottimizzati per applicazioni a commutazione rapida. I MOSFET di onsemi presentano una tecnologia planare che funziona in modo affidabile con azionamenti a tensione negativa del gate e disattivano i picchi del gate. Questa famiglia offre prestazioni ottimali se guidata con un gate drive 20 V, ma funziona anche con un gate drive 18 V.
Caratteristiche
- Tip. RDS(on) = 28mΩ
- Carica del gate ultrabassa (tip. QG(tot) = 222nC)
- Bassa capacità di uscita effettiva (tip. Coss = 200 pF)
- Collaudati al 100% con il metodo a valanga
- Conforme a RoHS
Applicazioni
- UPS
- Convertitore CC-CC
- Convertitore boost
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Pubblicato: 2022-11-10
| Aggiornato: 2023-11-02