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NVH4L020N090SC1

Name: onsemi NVH4L020N090SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVH4L020N090SC1
Price: 32.6 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-NVH4L020N090SC1

N. produttore:

NVH4L020N090SC1

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET SiC SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM

Scheda dati:

NVH4L020N090SC1 Scheda dati

Modello ECAD:

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET SiC
RoHS::
Package/involucro:	TO-247-4
Nome commerciale:	EliteSiC
Marchio:	onsemi
Confezione:	Tube
Tipo di prodotto:	SiC MOSFETS
Serie:	NVH4L020N090SC1
Quantità colli di fabbrica:	30
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	SiC

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Scheda dati

NVH4L020N090SC1 Scheda dati

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

Codici di conformità

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

Classificazioni di origine

Paese di origine:: Cina
Paese di origine dell'assemblaggio:: Cina
Paese di diffusione:: Repubblica di Corea

Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

MOSFET EliteSiC (carburo di silicio) da 900 V

I MOSFET in carburo di silicio (SiC) da 900 V di onsemi utilizzano una tecnologia che offre prestazioni di commutazione superiori e maggiore affidabilità rispetto al silicio. Inoltre, la bassa resistenza in conduzione e le dimensioni compatte del chip garantiscono bassa capacità e carica del gate. Di conseguenza, i vantaggi del sistema includono alta efficienza, frequenza di funzionamento più rapida, maggiore densità di potenza, EMI ridotta e dimensioni del sistema ridotte.

MOSFET EliteSiC M2

I MOSFET EliteSiC M2 di onsemi presentano opzioni di tensione di 650 V, 750 V e 1200 V. I MOSFET M2 di onsemi sono disponibili in vari package, tra cui D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD e TO-247-4LD. I MOSFET offrono flessibilità di progettazione e implementazione. Inoltre, i MOSFET EliteSiC M2 presentano una tensione gate-source massima di +22 V/-8 V, basso R_DS(on) e un elevato tempo di resistenza ai cortocircuiti (SCWT).