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NTBG028N170M1

Name: onsemi NTBG028N170M1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBG028N170M1
Price: 34.54 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

863-NTBG028N170M1

N. produttore:

NTBG028N170M1

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET SiC SIC 1700V MOS 28MO IN TO263-7L

Scheda dati:

NTBG028N170M1 Scheda dati

Modello ECAD:

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET SiC
RoHS::
REACH - SVHC:
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	D2PAK-7
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	1.7 kV
Id - corrente di drain continua:	71 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	40 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 15 V, + 25 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4.3 V
Qg - Carica del gate:	222 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	428 W
Modalità canale:	Enhancement
Nome commerciale:	EliteSiC
Marchio:	onsemi
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	13 ns
Transconduttanza diretta - Min:	27 S
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Tipo di prodotto:	SiC MOSFETS
Tempo di salita:	18 ns
Serie:	NTBG028N170M1
Quantità colli di fabbrica:	800
Sottocategoria:	Transistors
Tecnologia:	SiC
Ritardo di spegnimento tipico:	121 ns
Tipico ritardo di accensione:	47 ns

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Scheda dati

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Material Composition Disclosure

Codici di conformità

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classificazioni di origine

Paese di origine:: Repubblica di Corea
Paese di origine dell'assemblaggio:: Cina
Paese di diffusione:: Repubblica di Corea

Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

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